VHF-PECVD沉积微晶硅薄膜的等离子体模拟研究

摘要

采用二维自适应流体模型对甚高频等离子体增强化学气相沉积高速率的微晶硅薄膜的过程进行了模拟研究。模拟的结果显示出:同非晶硅薄膜的沉积相比,关键基团的密度具有不同的量级,而且微晶硅薄膜沉积过程中原子H的密度和通量比较大,是影响其结构的重要基团。另外,SiH3和SiH2基团的密度、通量和非晶硅薄膜的沉积过程相比较而言,SiH2基团对微晶硅薄膜沉积的贡献增加。最后通过对电子密度和温度的空间分布研究,表明:甚高频率提高薄膜沉积速率主要是由于电子密度,特别是有效的电子密度的增加而导致的。