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InGaAsBi的分子束外延生长与碳掺杂研究

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InGaAsBi是一种新型的Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料,它的一些特殊性质可用于HEMT等电子和光电子器件.重点研究了InGaAsBi材料的GSMBE生长及其特性,特别是衬底生长温度、CBr4压力和Bi炉温度对InGaAsBi材料和碳掺杂InGaAsBi材料表面、结构和化学特性、以及电学特性和光学特性的影响.

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来源
《第十二届全国分子束外延学术会议》|2017年|147-148|共2页
会议地点太原
作者
李家恺; 艾立鹍; 徐安怀; 王庶民; 齐鸣;
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作者单位

中国有色金属学会;

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23:TN304.054.41;
关键词
半导体材料; 铟镓砷铋; 分子束外延生长; 碳掺杂; 表面形貌; 化学特性; 电学特性; 光学特性;

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