面向硅通孔(TSV)的高深宽比薄膜沉积技术进展及应用

摘要

近年来,以硅通孔(TSV,Through-Sil icon-Via)为核心的先进封装技术是三维集成领域的发展趋势和研发热点.与之相关制造技术也得到了快速发展.由于TSV特征尺寸的限制,传统的薄膜制备技术难以满足目前新型功能薄膜的应用需求,相应的薄膜制备技术也取得进一步发展.本文将介绍面向TSV结构的深孔的薄膜沉积技术的发展,以及PVD、MOCVD、ALD等改进技术及特点,阐述薄膜制备技术在TSV高深宽比的金属化的应用.