使用低电阻金属铝制造薄膜晶体管阵列信号电极

刘翔; 陈旭; 谢振宇; 高浩然; 王威

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使用低电阻金属铝制造薄膜晶体管阵列信号电极

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金属电阻是影响大尺寸TFT-LCD信号延迟的关键因素.研究了利用低电阻率金属Al制作大尺寸TFT阵列信号线的生产工艺,发现在完成有源半导体层刻蚀后残留的少量Cl2会在后续工艺中对金属Al造成腐蚀,严重地影响了产品的性能.通过优化刻蚀工艺,采用活性更高的SF6去除刻蚀有源半导体层时残留的少量Cl2,避免了金属Al腐蚀的发生.

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来源
《液晶与显示》 |2009年第4期|533-536|共4页
作者
刘翔; 陈旭; 谢振宇; 高浩然; 王威;
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作者单位

北京京东方光电科技有限公司,北京,100176;

北京京东方光电科技有限公司,北京,100176;

北京京东方光电科技有限公司,北京,100176;

北京京东方光电科技有限公司,北京,100176;

北京京东方光电科技有限公司,北京,100176;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜晶体管;
关键词
薄膜晶体管; 铝; 腐蚀; 刻蚀;

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