ZnSe-ZnTe应变层超晶格用于光电器件的新材料

摘要

采用分子束外延方法生长了ZnSe-ZnTe应变层超晶格。采用光致发光方法对ZnSe-ZnTe应变层超晶格的光学特性进行了评价,发光颜色为由蓝绿至红的可见光范围内.为了获得宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体的p型和n型电导,采用调制掺杂技术制备了ZnSe-ZnTe超晶格,如果在ZnTe层中有选择地掺杂Sb,则所有样品呈现p型电导,且空穴浓度为（0.5-1.0）×1014cm-3。另一方面,Ga掺杂的应变层超晶格的电子浓度为（2-7）×1013cm（-3）。其