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白超;
器件研究 ZnSe VI 宽禁带 泵浦激光器 MOCVD 材料工程 异质结构 非线性光学器件 半导体材料;
机译:实现高性能有机EL器件的苯基吡啶衍生物宽禁带电子传输材料的开发
机译:典型的II-VI宽禁带半导体晶体直接从组成元素中蒸发生长
机译:Aurivillius相材料Bi5Ti3-2xFe1 + XNBXO15(0≤x≤0.4)通过化学溶液沉积生长的Aurivillius相材料Bi5Ti3-2XFe1 + XNBxO15(0≤x≤0.4)及其对材料的结构,磁性和光学性质的影响
机译:新型稀III族氮化物材料的生长和器件应用表征
机译:掺杂I-III-VI(2)的II-VI硫族化物的晶体生长和表征以及氧化钨对二氧化钛光催化活性的影响。
机译:氮掺杂对TiO2基固态染料敏化太阳能电池器件操作的影响:从材料到器件的光物理
机译:EFsa CEF专家组(EFsa食品接触材料,酶,调味剂和加工助剂专家组),2014年。关于调味品组评价的科学意见91,Re vision 2(FGE.91Rev2):简单的脂肪族和芳香族硫化物和硫醇的评价JECFa(第53和第68次会议)在结构上与脂肪族和脂环族单 - ,二 - ,三 - 和多硫化物有关,有或没有额外的氧化官能团,由EFsa在FGE.08Rev5(2012)中评估。
机译:基于si衬底上生长的III族氮化物的1.5微米光子器件。
机译:形成II-VI族复合半导体的方法和用于II-VI族复合半导体的气相生长的VI族材料
机译:形成p-n结器件的方法和生长p型II-VI族材料的方法
机译:制造半导体发光器件的方法,制造半导体器件的方法,制造器件的方法,生长氮化物III-V族III族-V族复合半导体层的方法,生长半导体层的方法以及生长层的方法
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