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方旭; 卢志红; 李斯阳;
武汉科技大学材料与冶金学院;
湖北武汉430081;
武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室;
Heusler合金; 自旋零带隙半导体; Al掺杂; 电子结构; 磁性; 四方形变;
机译:Ti对半金属Fe_2Mn_(1-x)Ti_xSi_(0.5)Al_(0.5)合金的电子结构和磁性的影响的理论研究
机译:磁性半导体数字合金中的电子结构和交换常数:化学和带隙效应
机译:通过非自旋极化电子能带结构计算研究半霍斯勒化合物中的18电子带隙和铁磁性
机译:自旋玻璃行为:富锰heulser合金带的磁性、微观结构和交换偏压特性
机译:磁性铁氧体与宽带隙半导体6H-碳化硅的分子束外延集成,用于下一代微波和自旋电子器件
机译:氟化钯(III)和PdF3 / Ga2O3 / PdF3磁性隧道结:多重自旋无隙半导体完美的自旋滤波和高隧道磁阻
机译:磁性半导体中的电子结构和交换常数 数字合金:化学和带隙效应
机译:在si(0(le)x(le)上生长的si(sub 1-x)C(sub x)和si(sub 1-x)Ge(sub x)C(sub y)半导体合金的介电函数和带隙0.014)
机译:(IV)X(III-V)(1-X)合金的表观生长方法以及将III-V族半导体结构转化为不规则合金,异质结构以及由该相同结构构成的半导体器件的方法
机译:半导体器件的零气隙具有半导体器件的生产方式,该半导体器件具有伴随气隙的达马金结构和伴随气隙的达马金结构
机译:宽禁带半导体带隙电子性能测量方法和宽禁带半导体带隙电子性能测量装置
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