采用扩散掺铝方法提高Cr—SiO薄膜电阻热稳定性

摘要

采用扩散掺铝方法可以显著降低Ｃｒ－ＳｉＯ薄膜电阻的温度系数，１～５ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±５０×１０＾－６℃＾－１；１０ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±１００×１０＾－６℃＾－１。该方法尤其适用于设备较为简单的蒸发镀膜工艺。