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罗尹虹; 龚建成; 郭红霞; 何宝平; 张凤祁;
西安西北核技术研究所,西安,710024;
美军标1019.5; 互补型金属氧化物半导体器件; 辐射效应评估;
机译:作为总剂量的3D保形加速局部乳房照射的总剂量,以10个分数的42 Gy更高的毒性:II期剂量递增试验的结果
机译:总剂量对两种类型的CMOS器件的影响
机译:加速砂浆棒试验方法中所选参数对骨料反应性的影响:骨料大小和除冰剂
机译:作为总剂量的3D保形加速局部乳房照射的总剂量在10分数中具有42 Gy的更高毒性:II级剂量递增试验的结果
机译:作为总剂量的3D保形加速局部乳房照射的总剂量,在10分数中具有42 Gy的更高毒性:II级剂量递增试验的结果
机译:CmOs器件强化总剂量辐射效应。
机译:CMOS器件针对总剂量辐射效应进行了硬化
机译:CMOS器件克服了总剂量辐射效应
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