CH_x(x=2～4)在Co(111)表面吸附的DFT研究

摘要

采用密度泛函理论与周期平板模型相结合的方法,对物种CH_x(x=2～4)在Co(111)表面的top,fcc,hcp和bridge位的吸附模型进行了结构优化、能量计算,得到了各物种较有利的吸附位;并对最佳吸附位进行密立根电荷和总态密度分析.结果表明:CH_4和CH_3在Co(111)表面的最稳定吸附位都是top位,吸附能分别是-60.35和-227.61 kJ·mol^(-1),而CH_2在Co(111)表面的最稳定吸附位hcp的吸附能是-440.52 kJ·mol^(-1);三物种与金属表面作用都较强,且有电荷转移,属于化学吸附.