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机译:AlGaN基深紫外发光二极管中的漏电流和开芯线错位
Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA;
机译:AlGaN基深紫外发光二极管中的漏电流和开芯线错位
机译:AlGaN基深紫外发光二极管中泄漏电流的检测和建模
机译:通过在基于Algan的深紫外发光二极管中调制掺杂来提高电气性能
机译:通过菌株改善基于Algan基深紫外发光二极管的进射效率
机译:改进了III族氮化物可见光和紫外发光二极管的性能,包括提取效率,电效率,热管理和高电流密度下的效率维持。
机译:通过局部调制基于AlGaN的深紫外发光二极管的n-AlGaN层中的掺杂类型来改善电流扩散
机译:在基于AlGaN的深度紫外发光二极管的P-AlGaN / N-AlGaN / P-AlGaN电流扩散层