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机译:衬底材料,取向和表面终止对GaN纳米线生长的影响
Walter Schottky Institut and Physics Department, Technische Universität München, Am Coulombwall 4, 85748 Garching, Germany;
机译:衬底材料,取向和表面终止对GaN纳米线生长的影响
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机译:银作为GaAs纳米线的种子颗粒材料—听写通过衬底取向的晶体相和生长方向
机译:银作为Gaas纳米线的种子 - 颗粒材料 - 通过基底取向决定晶相和生长方向
机译:衬底取向对金属有机气相外延生长Gasb生长速率,表面形貌和硅掺入的影响