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机译:〜(10)在低能量(E <1 MeV)下进行AMS测量
Ion Beam Physics, Paul Scherrer Institute and ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland ,Particle Physics, ETH-Zurich, Schafmattstrasse 20, CH-8093 Zurich, Switzerland;
Ion Beam Physics, Paul Scherrer Institute and ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland;
Ion Beam Physics, Paul Scherrer Institute and ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland;
Ion Beam Physics, Paul Scherrer Institute and ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland;
Ion Beam Physics, Paul Scherrer Institute and ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland;
Ion Beam Physics, Paul Scherrer Institute and ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland;
AMS; ~(10)Be; isobar; ionization detector; degrader foil technique;
机译:中子诱发反应O(n,x)〜(10)Be,Si(n,x)〜(10)在中子能71和112 MeV下的截面测量以及能量积分截面测量(0.1
机译:竞争性〜(10)使用升级的ETH-TANDY AMS设备进行低于1 MeV的测量
机译:电荷改变C12-16的横截面测量左右45A米,以及入射能量的Glauber模型10A-2100A MEV的开发
机译:10 MeV中子能量H(n,n)H角分布的测量
机译:从10 MEV到80 MEV偶发动能的低能反质子质子散射
机译:使用无壁组织当量比例计数器的290-MeV / u碳和500-MeV / u铁离子束的线能量分布的径向依赖性
机译:电荷变化 - 横截面测量值为$ ^ {12-16} $ C左右 $ 45a $ meV和开发Glauber模型的事件能量 $ 10a-2100a $ meV
机译:对于能量区域500 EV至10 meV且低于0.3 EV,相对于exp 252 Cf,exp 233 U每裂变发射的平均中子数的测量。