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机译:在室温和液氮温度下,退火对高通量77 keV BSi分子离子注入引起的浅结特性的影响
Institute of Nuclear Engineering and Science, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan, ROC Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, 101, Section 2, Kuang-Fu Road, Hsinchu 300, Taiwan, ROC;
Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan, ROC;
molecular ion implantation; shallow junction; annealing; transient-enhanced diffusion; junction depth; sheet resistance;
机译:退火对20 keV BGe分子离子注入引起的浅结特性的影响
机译:两步后退火对BGe分子离子注入产生的浅结特性的影响
机译:退火后的序列对不同离子注量下20 keV BF_2离子注入特性的影响
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