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MANUFACTURING METHOD OF LIGHT TRAPPING STRUCTRURE USING ANODIZING PROCESS AND LIGHT TRAPPING STRUCTURE

机译:利用阳极氧化工艺及光陷获结构制造光陷获结构的方法

摘要

One embodiment of the present invention relates to a method of manufacturing an optical capturing electrode structure using anodic oxidation, comprising: (S10) stacking and heat treating an aluminum layer; and performing an electrolytic polishing process on the heat-treated aluminum layer A step (S40) of performing a first anodic oxidation process on the surface of the electrolytically polished aluminum layer; a step (S50) of selectively etching the oxide formed through the anodic oxidation process; A step (S60) of performing a second anodization process on the aluminum layer (S60) and a step (S70) of performing an isotropic etching on the surface of the aluminum layer on which the second anodization process has been performed The present invention also provides a method for manufacturing an optical capturing electrode structure using the above process.;
机译:本发明的一个实施方式涉及一种利用阳极氧化制造光学捕获电极结构的方法,包括:(S10)堆叠并热处理铝层;以及然后,对铝热处理层进行电解抛光处理。步骤(S40),对电解铝层的表面进行第一阳极氧化处理。步骤S50,对通过阳极氧化工艺形成的氧化物进行选择性刻蚀。在铝层(S60)上进行第二阳极氧化工艺的步骤(S60)和在已经进行了第二阳极氧化工艺的铝层表面上进行各向同性蚀刻的步骤(S70)使用上述工艺制造光捕获电极结构的方法。

著录项

  • 公开/公告号KR101700240B1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-02-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 한국과학기술원;

    申请/专利号KR20150067578

  • 发明设计人 최기운;강일석;박재홍;안치원;

    申请日2015-05-14

  • 分类号C25D11/12;C25F3/04;C25F3/20;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 13:26:09

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