声明
第一章 绪论
1.1引言
1.2传统PN结理论回顾
1.3传统PN结理论的缺陷
1.4基于过剩多子作用的PN结理论要点
1.5本论文主要工作
第二章 PN结全电流输运的分析方法
2.1载流子输运的基本性质
2.2直流等效电路
2.3交流电流分析
2.4本章小结
第三章 基于过剩多子理论的PN结直流特性研究
3.1准中性区中的电中性
3.1.1热平衡半导体的电中性
3.1.2介电弛豫
3.1.3过剩多子分布
3.2基于过剩多子的电流-电压特性
3.2.1外加偏压下载流子的分布
3.2.2准中性区中的电场
3.2.3直流电流-电压特性
3.3准中性区中的电压降
3.4中高偏置分析
3.5本章小结
第四章 基于过剩多子理论的PN结交流特性研究
4.1传统PN结电容理论
4.1.1势垒电容
4.1.2扩散电容
4.2考虑“过剩多子”的交流工作模式
4.2.1交流工作状态下的电中性
4.2.2基于交流小信号的电流-电压特性
4.3基于小信号模型的C-V特性
4.3.1 PN结总电容
4.3.2非对称掺杂对电容的影响
4.3.3频率对电容的影响
4.4本章小结
第五章 光照作用下的PN结电流输运
5.1光激发下的电中性
5.2光注入后载流子的再分布
5.3光照下的电流-电压特性
5.4光电流的电荷控制分析
5.5本章小结
第六章 结论与展望
6.1主要结论
6.2研究展望
参考文献
在学期间的研究成果
致谢
兰州大学;