Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物(311)A表面的电子结构特征

宋友林; 王玉仓; 贾瑜; 姚乾凯

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Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物(311)A表面的电子结构特征

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在考虑最近邻、次近邻相互作用的SP3 模型基础上 ,采用形式散射理论的格林函数方法计算了Ⅲ -Ⅴ族半导体化合物GaAs、InSb、InAs和GaP的 (311)A表面的电子结构 ,给出了以上半导体材料体能带的表面投影能带结构 ,并给出了GaAs的 (311)A表面的层态密度函数 ,分析了各表面态沿表面布里渊区高对称线的色散特性和 (311)A表面的共同电子结构特征 ,计算结果与实验结果基本一致 .

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来源
《河南教育学院学报：自然科学版》 |2001年第4期|13-15|共3页
作者
宋友林; 王玉仓; 贾瑜; 姚乾凯;
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作者单位

河南教育学院物理系;

南阳第四师范学校;

郑州大学物理工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体性质;
关键词
格林函数; 紧束缚方法; 高弥勒指数表面; 表面态; 能带结构;

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