紧束缚方法计算Ⅲ-V族半导体(311)B表面电子结构

陈旭方; 樊社民; 宋友林; 贾瑜; 姚乾凯

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本文用紧束缚方法计算了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构 .半导体材料的体电子结构采用考虑次近邻相互作用的sp3 模型描述 ,表面电子结构通过求解形式散射理论的格林函数方程得到 .我们给出了四种半导体材料的表面投影能带结构和与它们相对应的各个表面态 ,讨论了各个表面态沿表面布里渊区高对称线Г Y S X Г的色散关系 .通过比较给出了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs等 (311)

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来源
《河南教育学院学报：自然科学版》 |2001年第3期|17-20|共4页
作者
陈旭方; 樊社民; 宋友林; 贾瑜; 姚乾凯;
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作者单位

郑州大学物理工程学院;

河南石油勘探局石油勘探开发研究院;

河南教育学院物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体性质;
关键词
紧束缚计算; 高弥勒指数表面; 表面态和表面共振态; Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物;

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