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机译:在窄间隙半导体非理想表面感应的量子化电子积累层中的静电势的近似值
Novosibirsk State Univ, Russian Acad Sci, Rzhanov Inst Semicond Phys, Siberian Branch, Novosibirsk, Russia;
electron accumulation layer; electrostatic potential; MIS structure; nonideal surface; novel approximating function;
机译:从金属-绝缘体-半导体结构的电压电容特性无模型确定半导体表面电势上累积和反转半导体层中电荷密度的依赖性
机译:各向异性有效质量近似模型,用于计算宽禁带半导体表面上的多个子带结构:在SrTiO3和ZnO累积层中的应用
机译:量子电子累积层的非抛物线耦合Poisson-Schrodinger解:InN表面的能带弯曲,电荷分布和子带
机译:太赫兹自由电子激光激发窄间隙半导体表面的谐波产生
机译:窄带隙半导体的电子结构和表面电子累积化。
机译:光电应用的窄间隙半导体和低尺寸结构
机译:积累层形成过程中窄间隙半导体表面电子态的演化
机译:具有恒定电位的曲面间静电双层相互作用的Derjaguin近似精度