磁随机存取存储器(MRAM)位单元中的高纵横比垂直互连存取(通孔)互连

摘要

公开了磁随机存取存储器(MRAM)位单元中的高纵横比垂直互连接入(通孔)互连。在一个方面，示例性MRAM位单元包括在其中互连存取晶体管和磁隧道结(MTJ)的耦合列。耦合列跨多个互连层而设置。在一个方面，耦合列包括高纵横比通孔。在另一方面，高纵横比通孔直接连接在耦合到存取晶体管的漏极的漏极接触件与MTJ的端电极之间使得在耦合列中不提供互连线和/或互连岛。在某些方面，耦合列可以设置在互连线与相邻的互连线之间而不增加现有的互连线节距，从而允许MRAM位单元节距的减小。