发光器件、发光装置、发光模块、电子设备、照明装置、有机金属配合物、发光材料、有机化合物及双核配合物

摘要

本发明的一个方式提高发射近红外光的发光器件的发光效率和可靠性。提供使用呈现最大峰值波长为760nm以上且900nm以下的光的有机化合物的发光器件。提供以通式(G1)表示的有机金属配合物。在通式中，R1至R11分别独立地表示氢或者碳原子数为1以上且6以下的烷基，R1至R4中的至少两个以及R5至R9中的至少两个表示碳原子数为1以上且6以下的烷基，X表示取代或未取代的苯环或萘环，n为2或3，并且L表示单阴离子配体。

说明书

技术领域

本发明的一个方式涉及一种发光器件、发光装置、发光模块、电子设备、照明装置、有机金属配合物、发光材料、有机化合物及双核配合物。本发明的一个方式涉及分别发射近红外光的发光器件、发光装置、发光模块、电子设备、照明装置、有机金属配合物、发光材料、有机化合物及双核配合物。

注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。作为本发明的一个方式的技术领域的一个例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如，触摸传感器等)、输入输出装置(例如，触摸面板等)以及上述装置的驱动方法或制造方法。

背景技术

对利用有机电致发光(EL：Electro Luminescence)现象的发光器件(也称为有机EL器件、有机EL元件)的研究开发日益火热。有机EL器件的基本结构是在一对电极之间夹有包含发光性有机化合物的层(以下，也记载为发光层)的结构。通过将电压施加到该有机EL器件，可以获得来自发光性有机化合物的发光。

作为发光性有机化合物，例如可以举出能够将三重激发态转换为发光的化合物(也称为磷光性化合物、磷光材料)。在专利文献1中，作为磷光材料公开了以铱等为中心金属的有机金属配合物。

此外，图像传感器被用于各种用途，例如个人识别、缺陷分析、医疗诊断、安全领域等。图像传感器根据用途适当地选择所使用的光源的波长。在图像传感器中，例如使用可见光、X射线等短波长的光、近红外光等长波长的光等各种波长的光。

除了显示装置，发光器件也有望应用于上述那样的图像传感器的光源。

[先行技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利申请公开第2007-137872号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明的一个方式的目的之一是提高发射近红外光的发光器件的发光效率。本发明的一个方式的目的之一是提高发射近红外光的发光器件的可靠性。本发明的一个方式的目的之一是延长发射近红外光的发光器件的寿命。

本发明的一个方式的目的之一是提供一种发光效率高的有机金属配合物。本发明的一个方式的目的之一是提供一种化学稳定性高的有机金属配合物。本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的发射近红外光的有机金属配合物。本发明的一个方式的目的之一是提供一种可以用于发光器件的EL层的新颖的有机金属配合物。

注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述目的以外的目的。

解决技术问题的手段

本发明的一个方式是一种包括发光层的发光器件(也称为发光元件)。发光层包含发光性有机化合物。发光性有机化合物所发射的光的最大峰值波长(也称为峰值强度最高的波长)为760nm以上且900nm以下。

本发明的一个方式是一种包括第一电极、第二电极及发光层的发光器件。发光层位于第一电极和第二电极之间。发光层包含发光性有机化合物。发光性有机化合物所发射的光的最大峰值波长为760nm以上且900nm以下。

发光性有机化合物所发射的光的最大峰值波长优选为780nm以上。另外，发光性有机化合物所发射的光的最大峰值波长优选为880nm以下。

发光性有机化合物优选为具有金属-碳键合的有机金属配合物。其中，发光性有机化合物更优选为环金属配合物。另外，发光性有机化合物优选为邻位金属配合物。另外，发光性有机化合物优选为铱配合物。另外，当发光性有机化合物是具有金属-碳键合的有机金属配合物时，该有机金属配合物优选具有2环以上且5环以下的稠合杂芳环且该稠合杂芳环配位于金属。该稠合杂芳环优选为3环以上。此外，该稠合杂芳环优选为4环以下。

本发明的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括具有上述结构中的任一个结构的发光器件、以及晶体管和衬底中的一方或双方。

本发明的一个方式是一种包括上述发光装置的发光模块，该发光模块安装有柔性印刷电路板(Flexible printed circuit，以下记为FPC)或TCP(Tape Carrier Package：带载封装)等连接器或者利用COG(Chip On Glass：玻璃覆晶封装)方式或COF(Chip On Film：薄膜覆晶封装)方式等安装有集成电路(IC)。此外，本发明的一个方式的发光模块既可以只包括连接器和IC中的一方，也可以包括连接器和IC中的双方。

本发明的一个方式是一种电子设备，该电子设备包括上述发光模块、以及天线、电池、框体、照相机、扬声器、麦克风和操作按钮中的至少一个。

本发明的一个方式是一种照明装置，该照明装置包括上述发光装置、以及框体、覆盖物和支架中的至少一个。

本发明的一个方式是以通式(G1)表示的有机金属配合物。另外，本发明的一个方式是以通式(G1)表示的发光材料。此外，本发明的一个方式是以通式(G1)表示的发光器件用材料。

[化学式1]

在通式(G1)中，R

本发明的一个方式是以通式(G2)表示的有机金属配合物。另外，本发明的一个方式是以通式(G2)表示的发光材料。此外，本发明的一个方式是以通式(G2)表示的发光器件用材料。

[化学式2]

在通式(G2)中，R

本发明的一个方式的有机金属配合物、发光材料或发光器件用材料所发射的光的最大峰值波长优选为760nm以上且900nm以下。

本发明的一个方式是一种包括发光层的发光器件。发光层包含具有上述任一结构的有机金属配合物、发光材料或发光器件用材料。发光器件具有发射最大峰值波长为760nm以上且900nm以下的光的功能。

本发明的一个方式是以通式(G0)表示的有机化合物。

[化学式3]

在通式(G0)中，R

本发明的一个方式是一种以结构式(200)表示的有机化合物。

[化学式4]

本发明的一个方式是一种以通式(B)表示的双核配合物。

[化学式5]

在通式(B)中，Z表示卤素，R

本发明的一个方式是一种以结构式(210)表示的双核配合物。

[化学式6]

发明效果

通过本发明的一个方式，可以提高发射近红外光的发光器件的发光效率。通过本发明的一个方式，可以提高发射近红外光的发光器件的可靠性。通过本发明的一个方式，可以延长发射近红外光的发光器件的寿命。

通过本发明的一个方式，可以提供一种发光效率高的有机金属配合物。通过本发明的一个方式，可以提供一种化学稳定性高的有机金属配合物。通过本发明的一个方式，可以提供一种新颖的发射近红外光的有机金属配合物。通过本发明的一个方式，可以提供一种可以用于发光器件的EL层的新颖的有机金属配合物。

注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外，本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述效果以外的效果。

附图简要说明

图1A、图1B、图1C是示出发光器件的一个例子的截面图。

图2A是示出发光装置的一个例子的俯视图。图2B、图2C是示出发光装置的一个例子的截面图。

图3A是示出发光装置的一个例子的俯视图。图3B是示出发光装置的一个例子的截面图。

图4A至图4E是示出电子设备的一个例子的图。

图5是结构式(200)所示的有机化合物的

图6是结构式(100)所示的有机金属配合物的

图7是结构式(100)所示的有机金属配合物的紫外-可见吸收光谱及发射光谱。

图8是示出结构式(100)所示的有机金属配合物的重量变化率的图表。

图9A及图9B是示出实施例的发光器件的截面图。

图10是示出发光器件1的电流密度-辐射度特性的图。

图11是示出发光器件1的电压-电流密度特性的图。

图12是示出发光器件1的电流密度-辐射通量特性的图。

图13是示出发光器件1的电压-辐射度特性的图。

图14是示出发光器件1的电流密度-外量子效率特性的图。

图15是示出发光器件1的发射光谱的图。

图16是示出发光器件1的可靠性测试的结果的图。

图17是示出发光器件2的电流密度-辐射度特性的图。

图18是示出发光器件2的电压-电流密度特性的图。

图19是示出发光器件2的电流密度-辐射通量特性的图。

图20是示出发光器件2的电压-辐射度特性的图。

图21是示出发光器件2的电流密度-外量子效率特性的图。

图22是示出发光器件2的发射光谱的图。

图23是示出发光器件2的可靠性测试的结果的图。

图24是示出发光器件3的电流密度-辐射度特性的图。

图25是示出发光器件3的电压-电流密度特性的图。

图26是示出发光器件3的电流密度-辐射通量特性的图。

图27是示出发光器件3的电压-辐射度特性的图。

图28是示出发光器件3的电流密度-外量子效率特性的图。

图29是示出发光器件3的发射光谱的图。

图30是示出发光器件3的可靠性测试的结果的图。

图31是示出发光器件3的相对强度的角度依赖性的图。

图32是示出发光器件3的归一化光子强度的角度依赖性的图。

实施发明的方式

参照附图对实施方式进行详细说明。注意，本发明不局限于以下说明，所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。

注意，在下面说明的发明结构中，在不同的附图中共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反复说明。此外，当表示具有相同功能的部分时有时使用相同的阴影线，而不特别附加附图标记。

另外，为了便于理解，有时附图中示出的各构成的位置、大小及范围等并不表示其实际的位置、大小及范围等。因此，所公开的发明不一定局限于附图所公开的位置、大小、范围等。

另外，根据情况或状态，可以互相调换“膜”和“层”。例如，可以将“导电层”变换为“导电膜”。此外，可以将“绝缘膜”变换为“绝缘层”。

(实施方式1)

在本实施方式中，说明本发明的一个方式的有机金属配合物。

[本发明的一个方式的有机金属配合物的结构]

本发明的一个方式的有机金属配合物具有下述结构，即具有苯并喹喔啉骨架或萘并喹喔啉骨架的配体配位于中心金属铱。具体而言，本发明的一个方式是以通式(G1)表示的有机金属配合物。另外，本发明的一个方式是以通式(G1)表示的发光材料。此外，本发明的一个方式是以通式(G1)表示的发光器件用材料。

[化学式7]

在通式(G1)中，R

在通式(G1)中，X表示取代或未取代的苯环或萘环，就是说，通过使苯环或萘环稠合于喹喔啉，可以使π共轭扩展并加深最低空分子轨道(LUMO能级)，因为其可以保持能量稳定，所以可以使发光波长变长。由此，可以获得发射近红外光的有机金属配合物。

本发明的一个方式是以通式(G2)表示的有机金属配合物。另外，本发明的一个方式是以通式(G2)表示的发光材料。此外，本发明的一个方式是以通式(G2)表示的发光器件用材料。

[化学式8]

在通式(G2)中，R

在通式(G2)中，X表示取代或未取代的苯环或萘环，就是说，通过使苯环或萘环稠合于喹喔啉，可以使π共轭扩展并加深LUMO能级，因为其可以保持能量稳定，所以可以使发光波长变长。由此，可以获得发射近红外光的有机金属配合物。

由于R

在本发明的一个方式中，X为取代或未取代的苯环或萘环且与X不是稠环的情况相比，有机金属配合物的升华性容易变低。但是，由于R

由于R

在通式(G1)及通式(G2)中，作为碳原子数为1以上且6以下的烷基，可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、新戊基、己基、异己基、3-甲基戊基、2-甲基戊基、2-乙基丁基、1,2-二甲基丁基、2,3-二甲基丁基等。

在通式(G1)及通式(G2)中，在苯环或萘环具有取代基的情况下，作为该取代基，可以举出碳原子数为1以上且6以下的烷基。作为碳原子数为1以上且6以下的烷基，可以援用上述记载。

作为单阴离子配体，可以举出具有β-二酮结构的单阴离子双齿螯合配体、具有羧基的单阴离子双齿螯合配体、具有酚羟基的单阴离子双齿螯合配体、两个配体元素都是氮的单阴离子双齿螯合配体或者能够通过环金属化与铱形成金属-碳键的双齿配体等。

单阴离子配体优选为通式(L1)至通式(L7)中的任一个。尤其是当使用通式(L1)所示的配体时升华性得到提高，所以是优选的。另外，通式(Ll)所示的配体的一个例子的结构式(L8)所示的配体(二叔戊酰甲烷)与具有苯并喹喔啉骨架或萘并喹喔啉骨架的配体是适当的组合，能够提高本发明的一个方式的有机金属配合物的升华性且降低升华温度，因此是优选的。

[化学式9]

在通式(L1)至(L7)中，R

本发明的一个方式的有机金属配合物所发射的光的最大峰值波长(也就是峰值强度最高的波长)优选为760nm以上且900nm以下。该波长尤其优选为780nm以上。另外，该波长优选为880nm以下。

作为本发明的一个方式的有机金属配合物的具体例子，可以举出以结构式(100)至结构式(111)表示的有机金属配合物。但是，本发明不局限于此。

[化学式10]

[化学式11]

[化学式12]

[化学式13]

[本发明的一个方式的有机金属配合物的合成方法]

作为本发明的一个方式的有机金属配合物的合成方法，可以使用各种反应。下面示出以通式(G1)表示的有机金属配合物的合成方法。

首先说明以通式(G0)表示的有机金属配合物的合成方法例子，然后说明使用以该通式(G0)示出的有机化合物合成以通式(G1)表示的有机金属配合物的方法。注意，下面分为通式(G1)中的n为2的情况(以通式(G1-1)表示的有机金属配合物)和通式(G1)中的n为3的情况(以通式(G1-2)表示的有机金属配合物)进行说明。注意，本发明的一个方式的有机金属配合物的合成方法不限于以下的合成方法。

《以通式(G0)表示的有机化合物的合成方法例子》

以通式(G0)表示的有机化合物是喹唑啉衍生物的一种并是本发明的一个方式的有机化合物。例如，可以使用下述三种合成方案(A-1)、(A-1’)、(A-1”)中的任意一个合成以通式(G0)表示的有机化合物。

[化学式14]

在通式(G0)以及后面说明的合成方案(A-1)、(A-1’)、(A-1”)中，R

例如，如下述合成方案(A-1)所示那样，使用烷基锂等使卤化苯衍生物(A1)锂化，并使其与喹唑啉衍生物(A2)起反应，由此可以得到以通式(G0)表示的有机化合物。此外，在合成方案(A-1)中，Z

[化学式15]

另外，如下述合成方案(A-1’)所示那样，通过使苯衍生物的硼酸(A1’)与喹喔啉的卤化物(A2’)耦合，可以得到以通式(G0)表示的有机化合物。此外，在合成方案(A-1’)中，Z

[化学式16]

此外，如下述合成方案(A-1”)所示那样，通过使苯衍生物取代的二酮(A1”)与二胺(A2”)起反应，可以得到以通式(G0)表示的有机化合物。

[化学式17]

以通式(G0)表示的有机化合物的合成方法不限于上述三种合成方法，也可以使用其他合成方法。

此外，上述的化合物(A1)、(A2)、(A1’)、(A2’)、(A1”)、(A2”)在市场上销售的种类很多或能够进行合成，所以可以合成多种的以通式(G0)表示的有机化合物。因此，本发明的一个方式的有机金属配合物具有其配体的种类丰富的特征。

《以通式(G1-1)表示的有机金属配合物的合成方法》

接着，说明以通式(G1-1)表示的有机金属配合物的合成方法例子。以通式(G1-1)表示的有机金属配合物是本发明的一个方式的有机金属配合物，并相当于在通式(G1)中n为2的情况。

[化学式18]

在通式(G1-1)以及后面说明的合成方案(A-2)、(A-3)中，R

首先，如以下合成方案(A-2)所示，通过无溶剂、单独使用醇类溶剂(甘油、乙二醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇等)或者使用一种以上的醇类溶剂和水的混合溶剂且在惰性气体气氛下对以通式(G0)表示的有机化合物和包含卤素的铱化合物(氯化铱、溴化铱、碘化铱等)进行加热，可以得到以通式(B)表示的双核配合物。对加热方法没有特别的限制，也可以使用油浴(oil bath)、沙浴(sand bath)或铝块。此外，还可以使用微波作为加热单元。

以通式(B)表示的双核配合物是一种具有由卤素交联的结构的有机金属配合物，也是本发明的一个方式的双核配合物。

[化学式19]

再者，如下述合成方案(A-3)所示，在惰性气体气氛下使以通式(B)表示的双核配合物和单阴离子配体的原料HL起反应，使得HL的质子脱离而L配位到中心金属(Ir)，从而得到以通式(G1-1)表示的有机金属配合物。对加热方法没有特别的限制，也可以使用油浴、沙浴或铝块。此外，还可以使用微波作为加热单元。

[化学式20]

注意，在合成方案(A-2)、(A-3)中，Z表示卤素。

《以通式(G1-2)表示的有机金属配合物的合成方法》

接着，说明以通式(G1-2)表示的有机金属配合物的合成方法例子。以通式(G1-2)表示的有机金属配合物是本发明的一个方式的有机金属配合物，并相当于在通式(G1)中n为3的情况。

[化学式21]

在通式(G1-2)以及后面说明的合成方案(A-4)中，R

如下述合成方案(A-4)所示，通过将含有卤素的铱化合物(氯化铱水合物、溴化铱、碘化铱、醋酸铱、六氯铱酸铵等)或有机铱配合物(乙酰丙酮配合物、二乙硫醚配合物、二-μ-氯架桥二核配合物、二-μ-羟基架桥二核配合物等)与以通式(G0)表示的有机金属配合物混合后在使其溶解于无溶剂或醇类溶剂(甘油、乙二醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇等)后再进行加热，可以得到以通式(G1-2)表示的有机金属配合物。

[化学式22]

以上，说明本发明的一个方式的有机金属配合物的合成方法，但是本发明不局限于此，也可以通过其他的合成方法进行合成。

如上所述，本发明的一个方式的有机金属配合物发射近红外光且升华性高，因此适合被用于发射近红外光的发光材料或发光器件用材料。通过使用本发明的一个方式的有机金属配合物，可以提高发射近红外光的发光器件的发光效率。通过使用本发明的一个方式的有机金属配合物，可以提高发射近红外光的发光器件的可靠性。

本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。此外，在本说明书中，在一个实施方式中示出多个结构实例的情况下，可以适当地组合该结构实例。

(实施方式2)

在本实施方式中，使用图1至图3说明本发明的一个方式的发光器件及本发明的一个方式的发光装置。

本发明的一个方式的发光器件在发光层包含发光性有机化合物。发光性有机化合物所发射的光的最大峰值波长(也称为峰值强度最高的波长)为760nm以上且900nm以下，优选为780nm以上，优选为880nm以下。

因为本发明的一个方式的发光器件能够形成为薄膜状且容易实现大面积化，所以可以用作发射近红外光的面光源。

发光性有机化合物发射磷光时可以提高发光器件的发光效率，所以是优选的。尤其是，发光性有机化合物优选为具有金属-碳键合的有机金属配合物。其中，发光性有机化合物更优选为环金属配合物。再者，发光性有机化合物优选为邻位金属配合物。由于这些有机化合物容易发射磷光，所以可以提高发光器件的发光效率。由此，本发明的一个方式的发光器件优选为发射磷光的磷光器件。

再者，具有金属-碳键合的有机金属配合物与卟啉类化合物等相比，发光率高且化学稳定性高，因此适合用作发光性有机化合物。

另外，在发光层中作为客体材料使用发光性有机化合物且作为主体材料使用其他有机化合物的情况下，如果在发光性有机化合物的吸收光谱出现深的波谷，根据主体材料的激发能量的值，有时从主体材料到客体材料的能量转移无法顺利进行而能量转移效率降低。在此，在具有金属-碳键合的有机金属配合物的吸收光谱中，来源于三重MLCT(从金属到配体的电荷转移：Metal to Ligand Charge Transfer)跃迁的吸收带、来源于单重MLCT跃迁的吸收带及来源于三重π-π*跃迁的吸收带等多数吸收带重叠，所以该吸收光谱中不易出现深的波谷。因此，可以扩大能够用于主体材料的材料的激发能量的值的范围，并扩大主体材料的选择范围。

另外，发光性有机化合物优选为铱配合物。例如，发光性有机化合物优选为作为中心金属使用铱的环金属配合物。由于铱配合物与白金配合物等相比化学稳定性高，通过作为发光性有机化合物使用铱配合物，可以提高发光器件的可靠性。从这样的稳定性的观点来看，铱的环金属配合物是优选的，铱的邻位金属配合物是更优选的。

注意，从获得近红外光的观点来看，上述有机金属配合物的配体优选具有2环以上且5环以下的稠合杂芳环配位于金属的结构。稠合杂芳环优选为3环以上。另外，稠合杂芳环优选为4环以下。稠合杂芳环所具有的环越多，越可以降低LUMO能级并使有机金属配合物的发光波长变长。另外，稠合杂芳环越少，越可以提高升华性。因此，通过使用2环以上且5环以下的稠合杂芳环，可以在适当地降低配体的LUMO能级并维持高升华性的同时，使来源于(三重)MLCT跃迁的有机金属配合物的发光波长变长至近红外光。此外，稠合杂芳环所具有的氮原子(N)的数量越多，越可以降低LUMO能级。因此，稠合杂芳环所具有的氮原子(N)的数量优选为两个以上，尤其优选为两个。

[发光器件的结构例子]

《发光器件的基本结构》

图1A至图1C示出在一对电极之间包括EL层的发光器件的一个例子。

图1A所示的发光器件具有EL层103夹在第一电极101与第二电极102之间的结构(单层结构)。EL层103至少包括发光层。

发光器件也可以在一对电极之间包括多个EL层。图1B示出具有串联结构的发光器件，该发光器件在一对电极之间包括两个EL层(EL层103a及EL层103b)，两个EL层之间包括电荷产生层104。具有串联结构的发光器件可以实现低电压驱动且降低功耗。

电荷产生层104具有如下功能：在对第一电极101及第二电极102施加电压时，对EL层103a和EL层103b中的一个注入电子并对另一个注入空穴的功能。由此，在图1B中，当以使第一电极101的电位比第二电极102高的方式施加电压时，电子从电荷产生层104注入到EL层103a中，空穴注入到EL层103b中。

另外，从光提取效率的观点来看，电荷产生层104优选使近红外光透过(具体而言，电荷产生层104的近红外光透过率为40％以上)。此外，电荷产生层104即使其电导率比第一电极101或第二电极102低也发挥功能。

图1C示出EL层103的叠层结构的一个例子。在本实施方式中，以第一电极101被用作阳极且第二电极102被用作阴极的情况为例进行说明。EL层103具有在第一电极101上依次层叠有空穴注入层111、空穴传输层112、发光层113、电子传输层114、电子注入层115的结构。空穴注入层111、空穴传输层112、发光层113、电子传输层114及电子注入层115各自既可以具有单层结构又可以具有叠层结构。即使是如图1B所示的串联结构那样包括多个EL层的情况，也可以将与图1C所示的EL层103同样的叠层结构用于各EL层。另外，在第一电极101为阴极且第二电极102为阳极的情况下，叠层顺序相反。

发光层113适当地组合发光物质及多个物质而能够获得所希望的波长的荧光发光或磷光发光。另外，发光层113也可以具有发光波长不同的叠层结构。注意，在此情况下，用于层叠的各发光层的发光物质或其他物质可以分别使用不同材料。另外，图1B所示的EL层103a及EL层103b也可以具有呈现互不相同的波长的结构。在此情况下，用于各发光层的发光物质或其他物质可以分别使用不同材料。

在本发明的一个方式的发光器件中，可以采用使在EL层中获得的光在一对电极之间发生谐振，从而增强所获得的光的结构。例如，在图1C中，通过使第一电极101为反射电极且使第二电极102为半透射-半反射电极(对近红外光具有透过性及反射性的电极)，形成光学微腔谐振器(微腔)结构，从而可以增强从EL层103获得的光。

注意，在发光器件的第一电极101为由对近红外光具有反射性的导电膜和对近红外光具有透过性的导电膜的叠层结构构成的反射电极的情况下，可以通过控制该具有透过性的导电膜的厚度来进行光学调整。具体而言，优选以如下方式进行调整：相对于从发光层113获得的光的波长λ，第一电极101与第二电极102的电极间距离为mλ/2(注意，m为自然数)左右。

另外，为了使从发光层113获得的所希望的光(波长：λ)放大，优选调整为如下：从第一电极101到能够获得发光层113的所希望的光的区域(发光区域)的光学距离及从第二电极102到能够获得发光层113的所希望的光的区域(发光区域)的光学距离都成为(2m’+1)λ/4(注意，m’为自然数)左右。注意，在此说明的“发光区域”是指发光层113中的空穴与电子的再结合区域。

通过进行上述光学调整，可以使能够从发光层113获得的光的光谱变窄，由此获得所希望的波长的光。

另外，在上述情况下，严格地说，第一电极101和第二电极102之间的光学距离可以说是从第一电极101中的反射区域到第二电极102中的反射区域的总厚度。但是，因为难以严格地决定第一电极101或第二电极102中的反射区域的位置，所以通过假定第一电极101及第二电极102中的任意的位置为反射区域可以充分得到上述效果。另外，严密地说，第一电极101和可以获得所希望的光的发光层之间的光学距离可以说是第一电极101中的反射区域和可以获得所希望的光的发光层中的发光区域之间的光学距离。但是，因为难以准确地决定第一电极101中的反射区域或可以获得所希望的光的发光层中的发光区域的位置，所以通过假定第一电极101中的任意的位置为反射区域且可以获得所希望的光的发光层的任意的位置为发光区域，可以充分得到上述效果。

第一电极101和第二电极102中的至少一个为对近红外光具有透过性的电极。对近红外光具有透过性的电极的近红外光透过率为40％以上。注意，在对近红外光具有透过性的电极为上述半透射-半反射电极的情况下，该电极的近红外光的反射率为20％以上，优选为40％以上，或低于100％，优选为95％以下，也可以为80％以下或70％以下。例如，该电极的近红外光的反射率为20％以上且80％以下，优选为40％以上且70％以下。此外，该电极的电阻率优选为1×10

在第一电极101或第二电极102为对近红外光具有反射性的电极(反射电极)的情况下，反射电极的近红外光反射率为40％以上且100％以下，优选为70％以上且100％以下。另外，该电极的电阻率优选为1×10

《发光器件的具体结构及制造方法》

接着，对发光器件的具体结构及制造方法进行说明。在此，使用具有图1C所示的单层结构的发光器件进行说明。

<第一电极及第二电极>

作为形成第一电极101及第二电极102的材料，如果可以满足上述两个电极的功能则可以适当地组合下述材料。例如，可以适当地使用金属、合金、导电化合物以及它们的混合物等。具体而言，可以举出In-Sn氧化物(也称为ITO)、In-Si-Sn氧化物(也称为ITSO)、In-Zn氧化物、In-W-Zn氧化物。除了上述以外，还可以举出铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、镓(Ga)、锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)、钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、钯(Pd)、金(Au)、铂(Pt)、银(Ag)、钇(Y)、钕(Nd)等金属以及适当地组合它们的合金。除了上述以外，可以使用以上没有列举的属于元素周期表中第1族或第2族的元素(例如，锂(Li)、铯(Cs)、钙(Ca)、锶(Sr))、铕(Eu)、镱(Yb)等稀土金属、适当地组合它们的合金以及石墨烯等。

在制造具有微腔结构的发光器件的情况下，例如，作为第一电极101形成反射电极，作为第二电极102形成半透射-半反射电极。由此，可以单独使用所希望的导电材料或者使用多个所希望的导电材料以单层或叠层形成上述电极。另外，第二电极102在形成EL层103之后，与上述同样地选择材料而形成。另外，上述电极可以利用溅射法或真空蒸镀法形成。

在图1C所示的发光器件中的第一电极101为阳极的情况下，通过真空蒸镀法在第一电极101上依次层叠空穴注入层111及空穴传输层112。

<空穴注入层及空穴传输层>

空穴注入层111是将空穴从为阳极的第一电极101注入到EL层103的层，包含空穴注入性高的材料。

作为空穴注入性高的材料，可以使用钼氧化物、钒氧化物、钌氧化物、钨氧化物、锰氧化物等过渡金属氧化物、酞菁(简称：H

作为空穴注入性高的材料，可以使用芳香胺化合物，诸如4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(简称：TDATA)、4,4',4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(简称：MTDATA)、4,4'-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]联苯(简称：DPAB)、4,4'-双(N-{4-[N'-(3-甲基苯基)-N'-苯基氨基]苯基}-N-苯基氨基)联苯(简称：DNTPD)、1,3,5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(简称：DPA3B)、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA1)、3,6-双[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzPCN1)等。

作为空穴注入性高的材料，可以使用高分子化合物，诸如聚(N-乙烯基咔唑)(简称：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：PVTPA)、聚[N-(4-{N'-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N'-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](简称：PTPDMA)、聚[N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺](简称：Poly-TPD)等。或者，还可以使用添加有酸的高分子化合物，诸如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(简称：PEDOT/PSS)或聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(PAni/PSS)等。

作为空穴注入性高的材料，也可以使用包含空穴传输性材料及受体材料(电子受体材料)的复合材料。在此情况下，由受体材料从空穴传输性材料抽出电子而在空穴注入层111中产生空穴，空穴通过空穴传输层112注入到发光层113中。另外，空穴注入层111可以采用由包含空穴传输性材料及受体材料的复合材料构成的单层，也可以采用分别使用空穴传输性材料及受体材料形成的层的叠层。

空穴传输层112是将从第一电极101经过空穴注入层111注入的空穴传输到发光层113中的层。空穴传输层112是包含空穴传输性材料的层。作为用于空穴传输层112的空穴传输性材料，特别优选使用具有与空穴注入层111的最高占据分子轨道能级(HOMO能级)相同或相近的HOMO能级的材料。

作为用于空穴注入层111的受体材料，可以使用属于元素周期表中的第4族至第8族的金属的氧化物。具体地说，可以举出氧化钼、氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钨、氧化锰、氧化铼。其中，由于氧化钼在大气中稳定且吸湿性低而易于处理，所以是优选的。除了上述以外，可以举出醌二甲烷衍生物、四氯苯醌衍生物、六氮杂三亚苯衍生物等有机受体。作为具有电子吸收基(卤基、氰基)的化合物，可以举出7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟醌二甲烷(简称：F

作为用于空穴注入层111及空穴传输层112的空穴传输性材料，优选为具有10

作为空穴传输性材料，优选使用富π电子型杂芳族化合物(例如，咔唑衍生物、噻吩衍生物、呋喃衍生物等)或者芳香胺(包含芳香胺骨架的化合物)等空穴传输性高的材料。

作为咔唑衍生物(具有咔唑骨架的化合物)，可以举出联咔唑衍生物(例如，3,3’-联咔唑衍生物)、具有咔唑基的芳香胺等。

作为联咔唑衍生物(例如，3,3’-联咔唑衍生物)，具体而言，可以举出3,3’-双(9-苯基-9H-咔唑)(简称：PCCP)、9,9’-双(1,1’-联苯-4-基)-3,3’-联-9H-咔唑、9,9’-双(1,1’-联苯-3-基)-3,3’-联-9H-咔唑、9-(1,1’-联苯-3-基)-9’-(1,1’-联苯-4-基)-9H,9’H-3,3’-联咔唑(简称：mBPCCBP)、9-(2-萘基)-9’-苯基-9H,9’H-3,3’-联咔唑(简称：βNCCP)等。

作为具有咔唑基的芳香胺，具体而言，可以举出4-苯基-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBA1BP)、N-(4-联苯)-N-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-9-苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：PCBiF)、N-(1,1’-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺(简称：PCBBiF)、4,4’-二苯基-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBBi1BP)、4-(1-萘基)-4’-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBANB)、4,4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)三苯胺(简称：PCBNBB)、4-苯基二苯基-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)胺(简称：PCA1BP)、N,N’-双(9-苯基咔唑-3-基)-N,N’-二苯基苯-1,3-二胺(简称：PCA2B)、N,N’,N”-三苯基-N,N’,N”-三(9-苯基咔唑-3-基)苯-1,3,5-三胺(简称：PCA3B)、9,9-二甲基-N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]芴-2-胺(简称：PCBAF)、N-苯基-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]螺-9,9’-二芴-2-胺(简称：PCBASF)、PCzPCA1、PCzPCA2、PCzPCN1、3-[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzDPA1)、3,6-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzDPA2)、3,6-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-(1-萘基)氨基]-9-苯基咔唑(简称：PCzTPN2)、2-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]螺-9,9’-二芴(简称：PCASF)、N-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N-(4-苯基)苯基苯胺(简称：YGA1BP)、N,N’-双[4-(咔唑-9-基)苯基]-N,N’-二苯基-9,9-二甲基芴-2,7-二胺(简称：YGA2F)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(简称：TCTA)等。

作为咔唑衍生物，除了上述以外，还可以举出3-[4-(9-菲基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(简称：PCPPn)、3-[4-(1-萘基)-苯基]-9-苯基-9H-咔唑(简称：PCPN)、1,3-双(N-咔唑基)苯(简称：mCP)、4,4’-二(N-咔唑基)联苯(简称：CBP)、3,6-双(3,5-二苯基苯基)-9-苯基咔唑(简称：CzTP)、1,3,5-三[4-(N-咔唑基)苯基]苯(简称：TCPB)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：CzPA)等。

作为噻吩衍生物(具有噻吩骨架的化合物)及呋喃衍生物(具有呋喃骨架的化合物)，具体而言，可以举出4,4’,4”-(苯-1,3,5-三基)三(二苯并噻吩)(简称：DBT3P-II)、2,8-二苯基-4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]二苯并噻吩(简称：DBTFLP-III)、4-[4-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]-6-苯基二苯并噻吩(简称：DBTFLP-IV)等具有噻吩骨架的化合物、以及4,4’,4”-(苯-1,3,5-三基)三(二苯并呋喃)(简称：DBF3P-II)、4-{3-[3-(9-苯基-9H-芴-9-基)苯基]苯基}二苯并呋喃(简称：mmDBFFLBi-II)等。

作为芳香胺，具体而言，可以举出4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(简称：NPB或α-NPD)、N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1’-联苯]-4，4’-二胺(简称：TPD)、4，4’-双[N-(螺-9，9’-二芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(简称：BSPB)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(简称：BPAFLP)、4-苯基-3'-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：mBPAFLP)、N-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)-N-{9，9-二甲基-2-[N’-苯基-N’-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)氨基]-9H-芴-7-基}苯基胺(简称：DFLADFL)、N-(9，9-二甲基-2-二苯基氨基-9H-芴-7-基)二苯基胺(简称：DPNF)、2-[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]螺-9，9’-二芴(简称：DPASF)、2，7-双[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]螺-9，9’-二芴(简称：DPA2SF)、4，4’，4”-三[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]三苯胺(简称：1’-TNATA)、TDATA、m-MTDATA、N，N’-二(对甲苯基)-N，N’-二苯基-对亚苯基二胺(简称：DTDPPA)、DPAB、DNTPD、DPA3B等。

作为空穴传输性材料，还可以使用PVK、PVTPA、PTPDMA、Poly-TPD等高分子化合物。

空穴传输性材料不局限于上述材料，可以将已知的各种材料中的一种或多种的组合用于空穴注入层111及空穴传输层112。

图1C示出的发光器件中，通过真空蒸镀法在空穴传输层112上形成发光层113。

<发光层>

发光层113是包括发光物质的层。

本发明的一个方式的发光器件作为发光物质包括发光性有机化合物。该发光性有机化合物发射近红外光。具体而言，发光性有机化合物所发射的光的最大峰值波长大于780nm且为900nm以下。

作为发光性有机化合物，例如可以使用实施方式1所示的有机金属配合物。另外，作为发光性有机化合物也可以使用后面的实施例所示的有机金属配合物。

发光层113可以包含一种或多种发光物质。

发光层113除了发光物质(客体材料)以外还可以包含一种或多种有机化合物(主体材料、辅助材料等)。作为一种或多种有机化合物，可以使用在本实施方式中说明的空穴传输性材料和电子传输性材料中的一方或双方。此外，作为一种或多种有机化合物，也可以使用双极性材料。

对可用于发光层113的发光物质没有特别的限制，可以使用将单重激发能量转换为近红外光区域的光的发光物质或者将三重激发能量转换为近红外光区域的光的发光物质。

作为将单重激发能量转换成发光的发光物质，可以举出发射荧光的物质(荧光材料)，例如可以举出芘衍生物、蒽衍生物、三亚苯衍生物、芴衍生物、咔唑衍生物、二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、喹喔啉衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、菲衍生物、萘衍生物等。

作为将三重激发能量转换成发光的发光物质，例如可以举出发射磷光的物质(磷光材料)或呈现热活化延迟荧光的热活化延迟荧光(Thermally activated delayedfluorescence：TADF)材料。

作为磷光材料，例如可以举出具有4H-三唑骨架、1H-三唑骨架、咪唑骨架、嘧啶骨架、吡嗪骨架、吡啶骨架的有机金属配合物(尤其是铱配合物)、以具有吸电子基团的苯基吡啶衍生物为配体的有机金属配合物(尤其是铱配合物)、铂配合物、稀土金属配合物等。

此外，本发明的一个方式的发光器件也可以包括除了发射近红外光的发光物质以外的发光物质。例如，本发明的一个方式的发光器件除了发射近红外光的发光物质，还可以包括发射可见光(红色、蓝色、绿色等)的发光物质。

作为用于发光层113的有机化合物(主体材料、辅助材料等)，可以选择一种或多种其能隙比发光物质大的物质而使用。

在用于发光层113的发光物质是荧光材料的情况下，作为与发光物质组合而使用的有机化合物，优选使用其单重激发态的能级大且其三重激发态的能级小的有机化合物。

虽然一部分与上述具体例子重复，但是，从与发光物质(荧光材料、磷光材料)的优选组合的观点来看，以下示出有机化合物的具体例子。

在发光物质是荧光材料的情况下，作为可以与发光物质组合而使用的有机化合物，可以举出蒽衍生物、并四苯衍生物、菲衍生物、芘衍生物、

作为与荧光材料组合而使用的有机化合物(主体材料)的具体例子，可以举出9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：PCzPA)、3,6-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(简称：DPCzPA)、PCPN、9,10-二苯基蒽(简称：DPAnth)、N,N-二苯基-9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：CzA1PA)、4-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称：DPhPA)、4-(9H-咔唑-9-基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称：YGAPA)、N，9-二苯基-N-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑-3-胺(简称：PCAPA)、N,9-二苯基-N-{4-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]苯基}-9H-咔唑-3-胺(简称：PCAPBA)、N-(9,10-二苯基-2-蒽基)-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(简称：2PCAPA)、6,12-二甲氧基-5,11-二苯基

在发光物质是磷光材料的情况下，作为与发光物质组合而使用的有机化合物，选择其三重激发能量大于发光物质的三重激发能量(基底状态和三重激发态的能量差)的有机化合物即可。

当为了形成激基复合物，组合而使用多个有机化合物(例如，第一主体材料及第二主体材料(或辅助材料)等)与发光物质时，优选与磷光材料(尤其是有机金属配合物)混合而使用这些多个有机化合物。

通过采用这样的结构，可以高效地得到利用从激基复合物到发光物质的能量转移的ExTET(Exciplex-Triplet Energy Transfer：激基复合物-三重态能量转移)的发光。作为多个有机化合物的组合，优选使用容易形成激基复合物的组合，特别优选组合容易接收空穴的化合物(空穴传输性材料)与容易接收电子的化合物(电子传输性材料)。另外，作为空穴传输性材料及电子传输性材料的具体例子，可以使用本实施方式所示的材料。由于该结构能够同时实现发光器件的高效率、低电压及长寿命。

作为在发光物质是磷光材料时可以与发光物质组合而使用的有机化合物，可以举出芳香胺、咔唑衍生物、二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、锌类金属配合物或铝类金属配合物、噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯并咪唑衍生物、喹喔啉衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物、吡啶衍生物、联吡啶衍生物、菲罗啉衍生物等。

此外，作为上述中的空穴传输性高的有机化合物的芳香胺(具有芳香胺骨架的化合物)、咔唑衍生物、二苯并噻吩衍生物(噻吩衍生物)、二苯并呋喃衍生物(呋喃衍生物)的具体例子，可以举出与上述空穴传输性材料的具体例子相同的材料。

作为电子传输性高的有机化合物的锌类金属配合物、铝类金属配合物的具体例子，可以举出：三(8-羟基喹啉)铝(III)(简称：Alq)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(III)(简称：Almq

除此之外，还可以使用如双[2-(2-苯并噁唑基)苯酚]锌(II)(简称：ZnPBO)、双[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]锌(II)(简称：ZnBTZ)等具有噁唑基类配体、噻唑类配体的金属配合物等。

作为电子传输性高的有机化合物的噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并咪唑衍生物、喹喔啉衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、菲罗啉衍生物的具体例子，可以举出2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(简称：PBD)、1，3-双[5-(对叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(简称：OXD-7)、9-[4-(5-苯基-1，3，4-噁二唑-2-基)苯基]-9H-咔唑(简称：CO11)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(简称：TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(简称：p-EtTAZ)、2，2’，2”-(1，3，5-苯三基)三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(简称：TPBI)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑(简称：mDBTBIm-II)、4，4’-双(5-甲基苯并噁唑-2-基)二苯乙烯(简称：BzOs)、红菲绕啉(简称：Bphen)、浴铜灵(简称：BCP)、2，9-双(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(简称：NBphen)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mDBTBPDBq-II)、2-[3’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mCzBPDBq)、2-[4-(3，6-二苯基-9H-咔唑-9-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2CzPDBq-III)、7-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：7mDBTPDBq-II)及6-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：6mDBTPDBq-II)等。

作为电子传输性高的有机化合物的具有二嗪骨架的杂环化合物、具有三嗪骨架的杂环化合物、具有吡啶骨架的杂环化合物的具体例子，可以举出4,6-双[3-(菲-9-基)苯基]嘧啶(简称：4,6mPnP2Pm)、4，6-双[3-(4-二苯并噻吩基)苯基]嘧啶(简称：4,6mDBTP2Pm-II)、4,6-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]嘧啶(简称：4,6mCzP2Pm)、2-{4-[3-(N-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H-咔唑-9-基]苯基}-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(简称：PCCzPTzn)、9-[3-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)苯基]-9’-苯基-2,3’-联-9H-咔唑(简称：mPCCzPTzn-02)、3,5-双[3-(9H-咔唑-9-基)苯基]吡啶(简称：35DCzPPy)、1,3,5-三[3-(3-吡啶)苯基]苯(简称：TmPyPB)等。

作为电子传输性高的有机化合物，还可以使用聚(2，5-吡啶二基)(简称：PPy)、聚[(9，9-二己基芴-2，7-二基)-共-(吡啶-3，5-二基)](简称：PF-Py)、聚[(9，9-二辛基芴-2，7-二基)-共-(2，2’-联吡啶-6，6’-二基)](简称：PF-BPy)等高分子化合物。

TADF材料是指能够利用微小的热能量将三重激发态上转换(up-convert)为单重激发态(逆系间窜越)并高效率地呈现来自单重激发态的发光(荧光)的材料。另外，可以高效率地获得热活化延迟荧光的条件为如下：三重激发能级和单重激发能级之间的能量差为0eV以上且0.2eV以下，优选为0eV以上且0.1eV以下。TADF材料所呈现的延迟荧光是指其光谱与一般的荧光同样但其寿命非常长的发光。其寿命为10

作为TADF材料，例如可以举出富勒烯或其衍生物、普鲁黄素等吖啶衍生物、伊红等。另外，可以举出包含镁(Mg)、锌(Zn)、镉(Cd)、锡(Sn)、铂(Pt)、铟(In)或钯(Pd)等的含金属卟啉。作为含金属卟啉，例如，也可以举出原卟啉-氟化锡配合物(简称：SnF

除了上述以外，可以使用2-(联苯-4-基)-4，6-双(12-苯基吲哚并[2，3-a]咔唑-11-基)-1，3，5-三嗪(简称：PIC-TRZ)、PCCzPTzn、2-[4-(10H-吩恶嗪-10-基)苯基]-4，6-二苯基-1，3，5-三嗪(简称：PXZ-TRZ)、3-[4-(5-苯基-5，10-二氢吩嗪-10-基)苯基]-4，5-二苯基-1，2，4-三唑(简称：PPZ-3TPT)、3-(9，9-二甲基-9H-吖啶-10-基)-9H-氧杂蒽-9-酮(简称：ACRXTN)、双[4-(9，9-二甲基-9，10-二氢吖啶)苯基]砜(简称：DMAC-DPS)、10-苯基-10H，10’H-螺[吖啶-9，9’-蒽]-10’-酮(简称：ACRSA)等具有富π电子型杂芳环及缺π电子型杂芳环的杂环化合物。另外，在富π电子型杂芳环和缺π电子型杂芳环直接键合的物质中，富π电子型杂芳环的供体性和缺π电子型杂芳环的受体性都强，单重激发态与三重激发态之间的能量差变小，所以是尤其优选的。

另外，在使用TADF材料的情况下，可以组合其他有机化合物使用。尤其TADF材料可以与上述的主体材料、空穴传输材料及电子传输材料组合。

此外，通过与低分子材料或高分子材料组合，可以将上述材料用于发光层113的形成。在成膜中，可以适当地使用已知的方法(蒸镀法、涂敷法、印刷法等)。

图1C所示的发光器件中，在发光层113上形成电子传输层114。

<电子传输层>

电子传输层114是将从第二电极102由电子注入层115注入的电子传输到发光层113中的层。另外，电子传输层114是包含电子传输性材料的层。作为用于电子传输层114的电子传输性材料，优选为具有1×10

作为电子传输性材料，可以使用具有喹啉骨架的金属配合物、具有苯并喹啉骨架的金属配合物、具有噁唑骨架的金属配合物、具有噻唑骨架的金属配合物等，还可以使用噁二唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、噁唑衍生物、噻唑衍生物、菲罗啉衍生物、具有喹啉配体的喹啉衍生物、苯并喹啉衍生物、喹喔啉衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、吡啶衍生物、联吡啶衍生物、嘧啶衍生物、含氮杂芳族化合物等缺π电子型杂芳族化合物等电子传输性高的材料。

作为电子传输性材料的具体例子，可以使用上述材料。

接着，在图1C所示的发光器件中，通过真空蒸镀法在电子传输层114上形成电子注入层115。

<电子注入层>

电子注入层115是包含电子注入性高的物质的层。作为电子注入层115，可以使用氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF

此外，也可以将包含电子传输性材料和供体性材料(电子给予性材料)的复合材料用于电子注入层115。这种复合材料在电子注入性能和电子传输性能方面优良，因为电子供体引起电子的生成。在该情况下，有机化合物优选为在将生成的电子传输方面优良的材料。在此情况下，有机化合物优选是在传输所产生的电子方面性能优异的材料，具体而言，例如，可以使用用于如上所述的电子传输层114的电子传输性材料(金属配合物、杂芳族化合物等)。作为电子给体，只要使用对有机化合物呈现电子给体性的物质，即可。具体而言，优选使用碱金属、碱土金属和稀土金属，可以举出锂、铯、镁、钙、铒、镱等。另外，优选使用碱金属氧化物或碱土金属氧化物，例如可以举出锂氧化物、钙氧化物、钡氧化物等。此外，可以使用氧化镁等路易斯碱。另外，也可以使用四硫富瓦烯(简称：TTF)等有机化合物。

<电荷产生层>

在图1B所示的发光器件中，电荷产生层104具有如下功能：当第一电极101(阳极)和第二电极102(阴极)之间被施加电压时，对EL层103a注入电子且对EL层103b注入空穴的功能。

电荷产生层104既可以具有包含空穴传输性材料和受体性材料(电子接收性材料)的结构，也可以具有包含电子传输性材料和供体性材料的结构。通过形成这种结构的电荷产生层104，可以抑制在层叠EL层时的驱动电压的增大。

作为空穴传输性材料、受体性材料、电子传输性材料及供体性材料，可以使用上述材料。

另外，当制造本实施方式所示的发光器件时，可以利用蒸镀法等真空工艺或旋涂法、喷墨法等溶液工艺。作为蒸镀法，可以利用溅射法、离子镀法、离子束蒸镀法、分子束蒸镀法、真空蒸镀法等物理蒸镀法(PVD法)或化学气相沉积法(CVD法)等。尤其是，可以利用蒸镀法(真空蒸镀法)、涂敷法(浸涂法、染料涂布法、棒式涂布法、旋涂法、喷涂法等)、印刷法(喷墨法、丝网印刷(孔版印刷)法、胶版印刷(平版印刷)法、柔版印刷(凸版印刷)法、照相凹版印刷法、微接触印刷法等)等方法形成包括在EL层中的功能层(空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层)以及电荷产生层。

构成EL层103的功能层及电荷产生层的材料不局限于上述材料。例如，作为功能层的材料，可以使用高分子化合物(低聚物、树枝状聚合物、聚合物等)、中分子化合物(介于低分子与高分子之间的化合物：分子量为400至4000)、无机化合物(量子点材料等)等。作为量子点材料，可以使用胶状量子点材料、合金型量子点材料、核壳(Core Shell)型量子点材料、核型量子点材料等。

[发光装置的结构例子1]

图2A示出发光装置的俯视图，图2B、图2C示出沿着图2A的点划线X1-Y1及X2-Y2的截面图。可以将图2A至图2C所示的发光装置例如用于照明装置。发光装置也可以具有底部发射结构、顶部发射结构或双面发射结构。

图2B所示的发光装置包括衬底490a、衬底490b、导电层406、导电层416、绝缘层405、有机EL器件450(第一电极401、EL层402及第二电极403)及粘合层407。可以将有机EL器件450称为发光元件、有机EL元件、发光器件等。EL层402在发光层中作为发光性有机化合物优选包含实施方式1所示的有机金属配合物。

有机EL器件450包括衬底490a上的第一电极401、第一电极401上的EL层402、EL层402上的第二电极403。由衬底490a、粘合层407及衬底490b密封有机EL器件450。

第一电极401、导电层406及导电层416的端部由绝缘层405覆盖。导电层406与第一电极401电连接，而导电层416与第二电极403电连接。将隔着第一电极401由绝缘层405覆盖的导电层406用作辅助布线，并且该导电层406与第一电极401电连接。当包括与有机EL器件450的电极电连接的辅助布线时，能够抑制起因于电极的电阻的电压下降，所以是优选的。导电层406也可以设置在第一电极401上。另外，也可以在绝缘层405上等设置有与第二电极403电连接的辅助布线。

衬底490a及衬底490b可以使用玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石以及有机树脂等。通过将具有柔性的材料用于衬底490a及衬底490b，可以提高显示装置的柔性。

发光装置的发光面也可以配置有用来提高光提取效率的光提取结构、抑制尘埃的附着的抗静电膜、不容易被弄脏的具有拒水性的膜、抑制使用时的损伤的硬涂膜、冲击吸收层等。

作为可用于绝缘层405的绝缘材料，例如可以举出丙烯酸树脂或环氧树脂等树脂、无机绝缘材料如氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅或氧化铝等。

作为粘合层407，可以使用紫外线固化粘合剂等光固化粘合剂、反应固化粘合剂、热固化粘合剂、厌氧粘合剂等各种固化粘合剂。作为这些粘合剂，可以举出环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、酰亚胺树脂、PVC(聚氯乙烯)树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)树脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)树脂等。尤其优选使用环氧树脂等透湿性低的材料。另外，也可以使用两液混合型树脂。此外，也可以使用粘合薄片等。

图2C所示的发光装置包括阻挡层490c、导电层406、导电层416、绝缘层405、有机EL器件450、粘合层407、阻挡层423及衬底490b。

图2C所示的阻挡层490c包括衬底420、粘合层422及阻挡性高的绝缘层424。

在图2C所示的发光装置中，阻挡性高的绝缘层424与阻挡层423之间配置有有机EL器件450。因此，即使将防水性较低的树脂薄膜等用于衬底420及衬底490b，也可以抑制水等杂质进入有机EL器件而导致寿命降低。

作为衬底420及衬底490b，例如可以使用如下材料：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯树脂、聚丙烯腈树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、聚醚砜(PES)树脂、聚酰胺树脂(尼龙、芳族聚酰胺等)、聚硅氧烷树脂、环烯烃树脂、聚苯乙烯树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚四氟乙烯(PTFE)树脂、ABS树脂以及纤维素纳米纤维等。衬底420及衬底490b也可以使用其厚度为具有柔性程度的玻璃。

作为阻挡性高的绝缘层424优选使用无机绝缘膜。作为无机绝缘膜，例如可以使用氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜、氮化铝膜等。此外，也可以使用氧化铪膜、氧化钇膜、氧化锆膜、氧化镓膜、氧化钽膜、氧化镁膜、氧化镧膜、氧化铈膜及氧化钕膜等。此外，也可以层叠上述绝缘膜中的两个以上。

阻挡层423优选包括至少一个无机膜。例如，阻挡层423可以采用无机膜的单层结构或者无机膜和有机膜的叠层结构。作为无机膜，上述无机绝缘膜是优选的。作为该叠层结构，例如，可以举出依次形成氧氮化硅膜、氧化硅膜、有机膜、氧化硅膜、氮化硅膜的结构等。通过作为保护层采用无机膜和有机膜的叠层结构，可以适当地抑制有可能进入有机EL器件450的杂质(典型的是，氢、水等)。

阻挡性高的绝缘层424及有机EL器件450可以直接形成在具有柔性的衬底420上。此时，不需要粘合层422。另外，绝缘层424及有机EL器件450可以在隔着剥离层形成在刚性衬底上之后转置到衬底420。例如，可以通过对剥离层施加热、力量以及激光等，从刚性衬底剥离绝缘层424及有机EL器件450，然后利用粘合层422贴合衬底420，由此将绝缘层424及有机EL器件450转置到衬底420。作为剥离层，例如可以使用包括钨膜及氧化硅膜等无机膜的叠层或者聚酰亚胺等有机树脂膜等。当利用刚性衬底时，与树脂衬底等相比，可以以更高的温度形成绝缘层424，所以可以实现致密且阻挡性极高的绝缘层424。

[发光装置的结构例子2]

本发明的一个方式的发光装置也可以是无源矩阵型发光装置或有源矩阵型发光装置。使用图3对有源矩阵型发光装置进行说明。

图3A示出发光装置的俯视图。图3B是图3A中的点划线A-A’间的截面图。

图3A、图3B所示的有源矩阵型发光装置包括像素部302、电路部303、电路部304a及电路部304b。

电路部303、电路部304a及电路部304b可以被用作扫描线驱动电路(栅极驱动器)或信号线驱动电路(源极驱动器)的功能。或者，也可以是电连接外置的栅极驱动器或源极驱动器与像素部302的电路。

在第一衬底301上设置有引线307。引线307与作为外部输入端子的FPC308电连接。FPC308对电路部303、电路部304a及电路部304b传递来自外部的信号(例如，视频信号、时钟信号、起始信号或复位信号等)或电位。此外，FPC308也可以安装有印刷线路板(PWB)。可以将图3A及图3B所示的结构称为包括发光器件(或发光装置)及FPC的发光模块。

像素部302包括包含有机EL器件317、晶体管311及晶体管312的多个像素。晶体管312与有机EL器件317所包括的第一电极313电连接。晶体管311被用作开关用晶体管。晶体管312被用作电流控制用晶体管。注意，对各像素所包括的晶体管的个数没有特别的限制，可以根据需要适当地设置。

电路部303包括晶体管309、晶体管310等多个晶体管。电路部303既可以由包含单极性(N型和P型中的任一个)晶体管的电路形成，也可以由包含N型晶体管及P型晶体管的CMOS电路形成。此外，也可以采用外部具有驱动电路的结构。

对本实施方式的发光装置所包括的晶体管结构没有特别的限制。例如可以使用平面型晶体管、交错型晶体管或反交错型晶体管等。此外，还可以采用顶栅型或底栅型的晶体管结构。或者，也可以在形成沟道的半导体层上下设置有栅极。

对用于晶体管的半导体材料的结晶性也没有特别的限制，可以使用非晶半导体或具有结晶性的半导体(微晶半导体、多晶半导体、单晶半导体或其一部分具有结晶区域的半导体)。当使用具有结晶性的半导体时可以抑制晶体管的特性劣化，所以是优选的。

晶体管的半导体层优选使用金属氧化物(氧化物半导体)。此外，晶体管的半导体层也可以包含硅。作为硅，可以举出非晶硅、结晶硅(低温多晶硅、单晶硅等)等。

例如，半导体层优选包含铟、M(M为选自镓、铝、硅、硼、钇、锡、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨或镁中的一种或多种)和锌。尤其是，M优选为选自铝、镓、钇或锡中的一种或多种。

尤其是，作为半导体层，优选使用包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物(IGZO)。

当半导体层为In-M-Zn氧化物时，优选用来形成In-M-Zn氧化物的溅射靶材中的In的原子数比为M的原子数比以上。作为这种溅射靶材的金属元素的原子数比，可以举出In：M：Zn＝1：1：1、In：M：Zn＝1：1：1.2、In：M：Zn＝2：1：3、In：M：Zn＝3：1：2、In：M：Zn＝4：2：3、In：M：Zn＝4：2：4.1、In：M：Zn＝5：1：6、In：M：Zn＝5：1：7、In：M：Zn＝5：1：8、In：M：Zn＝6：1：6、In：M：Zn＝5：2：5等。

电路部303、电路部304a及电路部304b所包括的晶体管和像素部302所包括的晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有不同的结构。电路部303、电路部304a及电路部304b所包括的多个晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有两种以上的不同结构。与此同样，像素部302所包括的多个晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有两种以上的不同结构。

第一电极313的端部由绝缘层314覆盖。绝缘层314可以使用负型感光树脂或正型感光树脂(丙烯酸树脂)等有机化合物或者氧化硅、氧氮化硅、氮化硅等无机化合物。绝缘层314的上端部或下端部优选有具有曲率的曲面。由此，可以使形成在绝缘层314上的膜具有良好的覆盖性。

第一电极313上设置有EL层315，EL层315上设置有第二电极316。EL层315具有发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、电荷产生层等。EL层315在发光层中作为发光性有机化合物优选包含实施方式1所示的有机金属配合物。

多个晶体管及多个有机EL器件317由第一衬底301、第二衬底306及密封剂305密封。由第一衬底301、第二衬底306及密封剂305围绕的空间318也可以填充有惰性气体(氮或氩等)或有机物(包括密封剂305)。

可以将环氧类树脂或玻璃粉用作密封剂305。另外，作为密封剂305，优选使用尽量未使水分和氧透过的材料。从粘合性的观点来看，在作为密封剂使用玻璃粉的情况下，作为第一衬底301及第二衬底306优选使用玻璃衬底。

本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。

(实施方式3)

在本实施方式中，参照图4说明能够使用本发明的一个方式的发光器件的电子设备。

图4A是以手指静脉为对象的生物识别系统，该生物识别系统包括框体911、光源912、检测台913等。通过在检测台913上放置手指，可以拍摄静脉形状。检测台913的上方设置有发射近红外光的光源912，检测台913的下方设置有摄像装置914。检测台913由使近红外光透过的材料构成，可以利用摄像装置914拍摄从光源912照射且透过手指的近红外光。此外，也可以在检测台913和摄像装置914之间设置光学系统。可以将上述机器的结构还用于以掌静脉为对象的生物识别系统。

可以将本发明的一个方式的发光器件用于光源912。本发明的一个方式的发光器件可以以弯曲形状设置，可以向对象物高均匀地照射光。尤其是，优选为发射在760nm以上且900nm以下的波长中具有最强的峰值强度的近红外光的发光器件。通过接收透过手指或手掌等的光并进行成像，可以检测出静脉位置。将该作用用作生物识别。另外，通过与全局快门方式组合，即使被摄体移动，也可以进行精度高的检测。

另外，光源912可以包括如图4B所示的发光部915、916、917那样的多个发光部。发光部915、916、917各自所发射的光的波长可以不同。另外，发光部915、916、917也可以以不同时序照射光。因此，通过改变照射光的波长或角度可以连续地拍摄不同图像，可以将多个图像用于识别来实现高安全性。

图4C是以掌静脉为对象的生物识别系统，该生物识别系统包括框体921、操作按钮922、检测部923以及发射近红外光的光源924等。通过在检测部923上刷手，可以检测出掌静脉的形状。另外，可以利用操作按钮输入密码等。检测部923的周围配置有光源924，向对象物(手掌)照射光。然后，被对象物反射的光入射到检测部923。可以将本发明的一个方式的发光器件用于光源924。检测部923正下配置有摄像装置925，可以捕捉到对象物的图像(手掌的全体图)。此外，也可以在检测部923和摄像装置925之间设置光学系统。可以将上述机器的结构还用于以手指静脉为对象的生物识别系统。

图4D是无损检测设备，该无损检测设备包括框体931、操作面板932、传送机构933、显示器934、检测单元935、发射近红外光的光源938等。可以将本发明的一个方式的发光器件用于光源938。用传送机构933将被检测构件936传送到检测单元935正下。近红外光从光源938照射到被检测构件936，利用设置在检测单元935中的摄像装置937拍摄该透过光。所拍摄的图像显示在显示器934上。然后，将被检测构件936传送到框体931的出口，分类并回收次品。通过利用近红外光进行拍摄，可以以无损的方式高速地检测出被检测构件中的缺陷或异物等不良要素。

图4E是移动电话机，该移动电话机包括框体981、显示部982、操作按钮983、外部连接接口984、扬声器985、麦克风986、第一摄像头987及第二摄像头988等。该移动电话机在显示部982中具有触摸传感器。框体981及显示部982具有柔性。通过用手指或触屏笔等触摸显示部982可以进行打电话或输入文字等各种操作。可以利用第一摄像头987取得可见光图像，可以利用第二摄像头988取得红外光图像(近红外光图像)。图4E所示的移动电话机或显示部982也可以包括本发明的一个方式的发光器件。

本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。

[实施例1]

(合成例1)

在本实施例中，对本发明的一个方式的有机金属配合物的合成方法进行说明。在本实施例中，说明以实施方式1的结构式(100)表示双{4，6-二甲基-2-[3-(3，5-二甲基苯基)-2-苯并[g]喹喔啉基-κN]苯基-κC}(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮-κ

[化学式23]

<步骤1：2，3-双(3，5-二甲基苯基)-2-苯并[g]喹喔啉(简称：Hdmdpbq)的合成>

首先，在步骤1中合成以结构式(200)表示的本发明的一个方式的有机化合物Hdmdpbq。将3.20g的3，3’，5，5’-四甲基苯偶酰、1.97g的2，3-二氨基萘及60mL的乙醇放入具备回流管的三口烧瓶中，用氮气置换烧瓶内的空气，然后以90℃搅拌7小时。过了规定时间之后，蒸馏而去除溶剂。然后，通过以甲苯为展开溶剂的硅胶柱层析纯化，来得到目的物(黄色固体，产量为3.73g，产率为79％)。步骤1的合成方案如下(a-1)所示。

[化学式24]

下面示出利用核磁共振法(

所得物质的

<步骤2：二-μ-氯-四{4，6-二甲基-2-[3-(3，5-二甲基苯基)-2-苯并[g]喹喔啉基-κN]苯基-κC}二铱(III)(简称：[Ir(dmdpbq)

然后，在步骤2中合成以结构式(210)表示的本发明的一个方式的双核配合物[Ir(dmdpbq)

[化学式25]

<步骤3：[Ir(dmdpbq)

然后，在步骤3中合成以结构式(100)表示的本发明的一个方式的有机金属配合物[Ir(dmdpbq)

[化学式26]

下面示出通过步骤3得到的暗绿色固体的核磁共振氢谱法(

所得物质的

接着，测量[Ir(dmdpbq)

在吸收光谱的测量中，使用紫外可见分光光度计(由日本分光株式会社制造，V550型)，将二氯甲烷溶液(0.010mmol/L)放在石英皿中，并在室温下进行测量。在发射光谱的测量中，利用荧光光度计(由日本滨松光子学株式会社制造，FS920)，在氮气氛下将二氯甲烷脱氧溶液(0.010mmol/L)放在石英皿中，密封，并在室温下测量。

图7示出所得到的吸收光谱及发射光谱的测量结果。横轴表示波长，纵轴表示吸收强度及发光强度。此外，图7中的细实线示出吸收光谱，粗实线示出发射光谱。图7所示的吸收光谱表示从将二氯甲烷溶液(0.010mmol/L)放在石英皿而测量的吸收光谱减去只将二氯甲烷放在石英皿而测量的吸收光谱来得到的结果。

如图7所示，本发明的一个方式的有机金属配合物[Ir(dmdpbq)

并且，使用高真空差式型差热天平(Bruker AXS K.K.制造，TG-DTA2410SA)测量所得到的[Ir(dmdpbq)

通过上述可知，在本实施例中合成了本发明的一个方式的有机金属配合物[Ir(dmdpbq)

[Ir(dmdpbq)

[实施例2]

在本实施例中，说明制造本发明的一个方式的发光器件的结果。具体而言，对将在实施例1中说明的双{4，6-二甲基-2-[3-(3，5-二甲基苯基)-2-苯并[g]喹喔啉基-κN]苯基-κC}(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮-κ

在本实施例中制造的发光器件1是发光器件的一个例子，其中发光层包含发光性有机化合物，该发光性有机化合物所发射的光的最大峰值波长为760nm以上且900nm以下。另外，发光器件1是将具有金属-碳键合的有机金属配合物用于发光性有机化合物的发光器件的一个例子。

图9A示出本实施例中使用的发光器件1的结构，表1示出具体结构。另外，下面示出在本实施例中使用的材料的化学式。

[表1]

*2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir(dmdpbq)

[化学式27]

《发光器件1的制造》

如图9A所示，本实施例所示的发光器件1具有如下结构：衬底800上形成有第一电极801，第一电极801上依次层叠有空穴注入层811、空穴传输层812、发光层813、电子传输层814以及电子注入层815，且电子注入层815上层叠有第二电极803。

首先，在衬底800上形成第一电极801。电极面积为4mm

在此，作为预处理，用水对衬底的表面进行洗涤，以200℃焙烧1小时，然后进行UV臭氧处理370秒。此后，将衬底引入到其内部被减压到10

接着，在第一电极801上形成空穴注入层811。在真空蒸镀装置内被减压到10

接着，在空穴注入层811上形成空穴传输层812。使用4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(简称：BPAFLP)以厚度为20nm的方式蒸镀，来形成空穴传输层812。

接着，在空穴传输层812上形成发光层813。作为主体材料使用2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mDBTBPDBq-II)、作为辅助材料使用N-(1,1’-联苯-4-基)-N-[4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基]-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺(简称：PCBBiF)，作为客体材料(磷光材料)使用本发明的一个方式的有机金属配合物[Ir(dmdpbq)

接着，在发光层813上形成电子传输层814。通过将2mDBTBPDBq-II和2，9-双(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(简称：NBphen)分别以厚度为20nm和70nm的方式依次进行蒸镀，来形成电子传输层814。

接着，在电子传输层814上形成电子注入层815。电子注入层815通过以厚度为1nm的方式蒸镀氟化锂(LiF)而形成。

接着，在电子注入层815上形成第二电极803。第二电极803以厚度为200nm的方式通过蒸镀法沉积铝而形成。在本实施例中，第二电极803被用作阴极。

通过上述工序在衬底800上形成在一对电极之间夹有EL层802的发光器件。另外，上述工序中说明的空穴注入层811、空穴传输层812、发光层813、电子传输层814以及电子注入层815是构成本发明的一个方式的EL层的功能层。另外，在上述制造方法的蒸镀过程中，都利用电阻加热法进行蒸镀。

另外，使用另一衬底(未图示)密封如上所述那样制成的发光器件。当使用另一衬底(未图示)进行密封时，在氮气氛的手套箱内将涂敷有因紫外光线而固化的粘合剂的另一衬底(未图示)固定于衬底800上，并以粘合剂附着于形成在衬底800上的发光器件的周围的方式将衬底彼此粘合。在密封时，以6J/cm

《发光器件1的工作特性》

对发光器件1的工作特性进行测量。注意，在室温(气氛保持在25℃下)下进行测量。

图10示出发光器件1的电流密度-辐射度特性。图11示出发光器件1的电压-电流密度特性。图12示出发光器件1的电流密度-辐射通量特性。图13示出发光器件1的电压-辐射度特性。图14示出发光器件1的电流密度-外量子效率特性。注意，将发光器件的配光特性假设为兰伯特(Lambertian)型，使用辐射亮度算出辐射度、辐射通量及外量子效率。

表2示出7.4W/sr/m

[表2]

如图10至图14及表2所示，可知发光器件1呈现良好的特性。

另外，图15示出以51mA/cm

另外，发射光谱的半宽为67nm。在将该半宽换算为能量时大约是0.13eV，这作为来源于有机金属配合物的发光非常窄。发光器件1有效地发射760nm以上且900nm以下的光(或者780nm以上且880nm以下的光)，因此可以说作为用作传感器等的光源的效果较高。

《发光器件1的可靠性测试》

接着，进行发光器件1的可靠性测试。图16示出可靠性测试的结果。在图16中，纵轴表示初始发光强度为100％时的归一化发光强度(％)，横轴表示驱动时间(h)。在可靠性测试中，将电流密度设定为75mA/cm

根据可靠性测试的结果可知，发光器件1呈现高可靠性。这可以说是将本发明的一个方式的有机金属配合物[Ir(dmdpbq)

[实施例3]

在本实施例中，说明制造本发明的一个方式的发光器件的结果。在本实施例中制造的发光器件2是发光器件的一个例子，其中发光层包含发光性有机化合物，该发光性有机化合物所发射的光的最大峰值波长为760nm以上且900nm以下。下面对制造发光器件2后测量其特性的结果进行说明。

在发光器件2中，作为发光性有机化合物，将双(二苯并[a，i]萘并[2，1-c]吩嗪-10-基-κC

表3示出本实施例中使用的发光器件2的具体结构。注意，发光器件2的结构与发光器件1(图9A)相同，关于其制造方法可以参照实施例2。另外，下面示出在本实施例中使用的材料的化学式。

[表3]

*2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir(dbnphz)

[化学式28]

《发光器件2的工作特性》

对发光器件2的工作特性进行测量。注意，在室温(气氛保持在25℃下)下进行测量。

图17示出发光器件2的电流密度-辐射度特性。图18示出发光器件2的电压-电流密度特性。图19示出发光器件2的电流密度-辐射通量特性。图20示出发光器件2的电压-辐射度特性。图21示出发光器件2的电流密度-外量子效率特性。注意，将发光器件的配光特性假设为兰伯特型，使用辐射亮度算出辐射度、辐射通量及外量子效率。

表4示出0.11W/sr/m

[表4]

如图17至图21及表4所示，可知发光器件2呈现良好的特性。

此外，图22示出以15mA/cm

另外，发射光谱的半宽为63nm。在将该半宽换算为能量时大约是0.10eV，这作为来源于有机金属配合物的发光非常窄。发光器件2有效地发射760nm以上且900nm以下的光(或者780nm以上且880nm以下的光)，因此可以说作为用作传感器等的光源的效果较高。

《发光器件2的可靠性测试》

接着，进行发光器件2的可靠性测试。图23示出可靠性测试的结果。在图23中，纵轴表示初始发光强度为100％时的归一化发光强度(％)，横轴表示元件的驱动时间(h)。在可靠性测试中，将电流密度设定为75mA/cm

根据可靠性测试的结果可知，发光器件2呈现高可靠性。

[实施例4]

在本实施例中，说明制造本发明的一个方式的发光器件的结果。具体而言，对将在实施例1中说明的[Ir(dmdpbq)

在本实施例中制造的发光器件3是发光器件的一个例子，其中发光层包含发光性有机化合物，该发光性有机化合物所发射的光的最大峰值波长为760nm以上且900nm以下。另外，发光器件3是将具有金属-碳键合的有机金属配合物用于发光性有机化合物的发光器件的一个例子。

图9B示出本实施例中使用的发光器件3的结构。本实施例中使用的发光器件3具有如下串联结构：在一对电极(第一电极801及第二电极803)之间包括两层EL层(EL层802a及EL层802b)且两层EL层之间包括电荷产生层816。

表5示出本实施例中使用的发光器件3的具体结构。另外，下面示出在本实施例中使用的材料的化学式。

[表5]

*2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir(dmdpbq)

[化学式29]

《发光器件3的制造》

如图9B所示，本实施例所示的发光器件3具有如下结构：衬底800上形成有第一电极801，第一电极801上依次层叠有EL层802a(空穴注入层811a、空穴传输层812a、发光层813a、电子传输层814a及电子注入层815a)、电荷产生层816及EL层802b(空穴注入层811b、空穴传输层812b、发光层813b、电子传输层814b及电子注入层815b)，且EL层802b上层叠有第二电极803。

首先，在衬底800上形成第一电极801。电极面积为4mm

在此，作为预处理，用水对衬底的表面进行洗涤，以200℃焙烧1小时，然后进行UV臭氧处理370秒。此后，将衬底引入到其内部被减压到10

接着，在第一电极801上形成空穴注入层811a。在真空蒸镀装置内被减压到10

接着，在空穴注入层811a上形成空穴传输层812a。使用PCBBiF以厚度为30nm的方式进行共蒸镀，来形成空穴传输层812a。

接着，在空穴传输层812a上形成发光层813a。作为主体材料使用2mDBTBPDBq-II，作为辅助材料使用PCBBiF，作为客体材料使用本发明的一个方式的有机金属配合物[Ir(dmdpbq)

接着，在发光层813a上形成电子传输层814a。通过将2mDBTBPDBq-II和NBphen分别以厚度为20nm和90nm的方式依次进行蒸镀，来形成电子传输层814a。

接着，在电子传输层814a上形成电子注入层815a。电子注入层815a通过以厚度为0.1nm的方式蒸镀氧化锂(Li

接着，在电子注入层815a上形成电荷产生层816。使用铜(II)酞菁(CuPc)以厚度为2nm的方式蒸镀，来形成电荷产生层816。

接着，在电荷产生层816上形成空穴注入层811b。将DBT3P-II和氧化钼以DBT3P-II：氧化钼＝2：1(重量比)且厚度为10nm的方式共蒸镀，来形成空穴注入层811b。

接着，在空穴注入层811b上形成空穴传输层812b。使用PCBBiF以厚度为60nm的方式蒸镀，来形成空穴传输层812b。

接着，在空穴传输层812b上形成发光层813b。作为主体材料使用2mDBTBPDBq-II，作为辅助材料使用PCBBiF，作为客体材料使用本发明的一个方式的有机金属配合物[Ir(dmdpbq)

接着，在发光层813b上形成电子传输层814b。通过将2mDBTBPDBq-II和NBphen分别以厚度为20nm和65nm的方式依次进行蒸镀，来形成电子传输层814b。

接着，在电子传输层814b上形成电子注入层815b。电子注入层815b通过以厚度为1nm的方式蒸镀氟化锂(LiF)而形成。

接着，在电子注入层815b上形成第二电极803。将银(Ag)和镁(Mg)以Ag：Mg＝10：1(体积比)且厚度为20nm的方式共蒸镀，来形成第二电极803。在本实施例中，第二电极803被用作阴极。

接着，在第二电极803上形成缓冲层804。缓冲层804通过以厚度为110nm的方式蒸镀DBT3P-II而形成。

通过上述工序在衬底800上形成发光器件3。另外，在上述制造方法的蒸镀过程中，都利用电阻加热法进行蒸镀。

另外，使用另一衬底(未图示)密封发光器件3。密封方法与发光元件1相同，可以参照实施例2。

另外，发光器件3采用微腔结构。以一对反射电极(APC膜与Ag：Mg膜)之间的光学距离相对于客体材料的发光的最大峰值波长大约为1波长的方式制造发光元件3。

《发光元件3的工作特性》

对发光器件3的工作特性进行测量。注意，在室温(气氛保持在25℃下)下进行测量。

图24示出发光器件3的电流密度-辐射度特性。图25示出发光器件3的电压-电流密度特性。图26示出发光器件3的电流密度-辐射通量特性。图27示出发光器件3的电压-辐射度特性。图28示出发光器件3的电流密度-外量子效率特性。注意，将发光器件的配光特性假设为兰伯特型，使用辐射亮度算出辐射度、辐射通量及外量子效率。

表6示出6.8W/sr/m

[表6]

如图24至图28及表6所示，可知发光器件3呈现良好的特性。发光器件3具有串联结构，因此得到EL强度的峰值高且外量子效率高的结果。

另外，图29示出以10mA/cm

此外，由于采用微腔结构引起发射光谱变窄，其半宽示为32nm。发光器件3有效地发射760nm以上且900nm以下的光(或者780nm以上且880nm以下的光)，因此可以说作为用作传感器等的光源的效果较高。

《发光器件3的可靠性测试》

接着，进行发光器件3的可靠性测试。图30示出可靠性测试的结果。在图30中，纵轴表示初始发光强度为100％时的归一化发光强度(％)，横轴表示驱动时间(h)。在可靠性测试中，将电流密度设定为75mA/cm

根据可靠性测试的结果可知，发光器件3呈现高可靠性。这可以说是将本发明的一个方式的有机金属配合物[Ir(dmdpbq)

《发光器件3的视角特性》

接着，调查发光器件3的EL光谱的视角特性。

首先，测量发光元件的正面方向的EL光谱及倾斜方向的EL光谱。具体而言，将垂直于发光元件3的发光面的方向设定为0°，从-80°至80°每隔10°，共17处测量发射光谱。测量利用多通道光谱分析仪(由日本滨松光子学株式会社制造的PMA-12)进行。从上述测量结果得到在各角度的发光元件的EL光谱及光子强度比。

图31示出发光器件3的0°至60°的EL光谱。

图32示出以正面光子强度为标准的发光元件3在各角度(Angle)的光子强度(Normalized photon intensity)。图32还示出兰伯特特性。

如图31及图32所示，可知发光器件3的视角依赖性大并向正面方面强烈发光。这是因为通过采用微腔结构，在增强正面方向的发光的同时，减弱了倾斜方向的发光。如上所述，正面方向的发光强的视角特性适合用作静脉传感器等传感器的光源。

(参考例)

下面具体说明在上述实施例3中使用的双(二苯并[a，i]萘并[2，1-c]吩嗪-10-基-κC

[化学式30]

<步骤1：二苯并[a，i]萘并[2，1-c]吩嗪(简称：Hdbnphz)的合成>

首先，将

[化学式31]

<步骤2：[Ir(dbnphz)

接着，将通过上述步骤1得到的Hdbnphz1.1g(2.9mmol)、氯化铱水合物0.39g(1.3mmol)及二甲基甲酰胺(DMF)30mL放入反应容器中，对该容器内进行氮气置换，以160℃进行加热搅拌7.5小时。经过指定时间之后，添加碳酸钠0.55g(5.2mmol)及二叔戊酰甲烷0.72g(3.9mmol)以140℃进行加热搅拌14小时。接着，对该混合物进行抽滤，对所得到的固体用水、乙醇进行洗涤。

接着，通过将二氯甲烷用作展开溶剂的硅胶柱层析法对该固体进行纯化，浓缩所得到的馏分而得到固体。对该固体用加热甲苯进行洗涤，来得到133mg的目的物。

接着，浓缩所得到的滤液，通过将甲苯用作展开溶剂的硅胶柱层析法进行纯化。接着，利用甲苯和乙醇的混合溶剂使浓缩所得到的馏分而得到的固体重结晶，而得到目的物(80mg)(总产量为213mg，产率14％)。步骤2的合成方案如下(b-2)所示。

[化学式32]

利用核磁共振法(NMR)对通过步骤2得到的黑色固体的质子(

[符号说明]

101：第一电极、102：第二电极、103：EL层、103a：EL层、103b：EL层、104：电荷产生层、111：空穴注入层、112：空穴传输层、113：发光层、114：电子传输层、115：电子注入层、301：第一衬底、302：像素部、303：电路部、304a：电路部、304b：电路部、305：密封剂、306：第二衬底、307：布线、308：FPC、309：晶体管、310：晶体管、311：晶体管、312：晶体管、313：第一电极、314：绝缘层、315：EL层、316：第二电极、317：有机EL器件、318：空间、401：第一电极、402：EL层、403：第二电极、405：绝缘层、406：导电层、407：粘合层、416：导电层、420：衬底、422：粘合层、423：阻挡层、424：绝缘层、450：有机EL器件、490a：衬底、490b：衬底、490c：阻挡层、800：衬底、801：第一电极、802：EL层、802a：EL层、802b：EL层、803：第二电极、804：缓冲层、811：空穴注入层、811a：空穴注入层、811b：空穴注入层、812：空穴传输层、812a：空穴传输层、812b：空穴传输层、813：发光层、813a：发光层、813b：发光层、814：电子传输层、814a：电子传输层、814b：电子传输层、815：电子注入层、815a：电子注入层、815b：电子注入层、816：电荷产生层、911：框体、912：光源、913：检测台、914：摄像装置、915：发光部、916：发光部、917：发光部、921：框体、922：操作按钮、923：检测部、924：光源、925：摄像装置、931：框体、932：操作面板、933：传送机构、934：显示器、935：检测单元、936：被检测构件、937：摄像装置、938：光源、981：框体、982：显示部、983：操作按钮、984：外部连接接口、985：扬声器、986：麦克风、987：摄像头、988：摄像头