ZnO薄膜

摘要： 为研究ZnO/SiO_(2)/Si复合结构声表面波器件激发瑞利波的特性,通过有限元方法对该复合结构进行三维建模仿真,得到该结构SAW器件所激励的瑞利波特性,以及其位移-频率、导纳-频率特性曲线。为验证有限元仿真结果的正确性,制备了有无反射栅结构的两组SAW器件。采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在Si衬底上制备SiO_(2)薄膜,再采用电子束蒸发镀膜制备ZnO薄膜和金属电极。实验利用矢量网络分析仪对两组器件进行了测试,测得两组SAW器件的谐振频率均与仿真结果相近,有反射栅的SAW器件比无反射栅的SAW器件在谐振频率处S_(11)增大了8.1 dB。结果表明:实验制备的SAW器件特性与仿真结果具有较好的一致性,SAW器件的反射栅的存在增强了回波信号,验证了反射栅的反射特性。

摘要： 利用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备ZnO、TiO_(2)多层复合薄膜.测试手段采用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分别对薄膜的结构、形貌和光学性能进行表征.研究固定浓度的ZnO在不同浓度的TiO_(2)上进行叠涂的复合薄膜的光学性能.实验分别制备浓度为0.45 mol/L/0.45 mol/L、0.45 mol/L/0.55 mol/L、0.45 mol/L/0.65 mol/L、0.45 mol/L/0.75 mol/L的ZnO/TiO_(2)双层膜.实验再进一步研究,在双层膜性能最好的薄膜的浓度基础上增加薄膜层数,制备TiO_(2)/ZnO/TiO_(2)3层膜.结果表明:浓度为0.45 mol/L/0.55 mol/L的双层ZnO/TiO_(2)复合薄膜的结晶质量好,吸光度较强,禁带宽度值为3.39 eV.将ZnO和TiO_(2)薄膜复合后,会产生一个新的杂质能级,电子跃迁时能量增加,载流子迁移速度降低,禁带宽度相对变大.在此基础上叠加第三层薄膜后,与双层膜样品相比(101)衍射峰有所下降,说明叠涂层数太多,反而影响了薄膜的生长.

摘要： 采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel),分别以乙酸锌(Zn(CH_(3)COO)_(2)H_(2)O)、钛酸酊酯(Ti(OC_(4)H9)_(4))为锌源和钛源,在玻璃衬底以及硅衬底上制备了不同浓度的、均匀的、结晶质量良好的单层ZnO、TiO_(2)薄膜及双层的ZnO·TiO_(2)复合薄膜。结果表明,所制备的单层本征ZnO、TiO_(2)薄膜分别沿(002)、(101)晶面生长,且当本征ZnO、TiO_(2)的浓度分别为0.45 mol/L、0.65 mol/L时,择优取向生长最明显。ZnO·TiO_(2)复合薄膜的(101)、(004)特征峰明显,且0.45 mol/L/0.55 mol/L的双层ZnO·TiO_(2)复合薄膜结晶质量最好;薄膜表面最为平整,粒子分布均匀,粘连现象最少;对紫外光的吸收最强,禁带宽度为3.39 eV。

摘要： 采用磁控溅射方法在p型Si衬底上制备ZnO纳米薄膜并形成异质结。在溅射气压分别为0.1,1.0,5.0 Pa时制备了不同形貌的ZnO纳米薄膜,并详细分析了ZnO薄膜的表面形貌、结晶质量对异质结I-V特性和室温气敏特性的影响。结果表明:溅射气压为5 Pa时,ZnO薄膜的结晶质量最好,异质结的气敏性能最佳。室温下,在18×10^(-3)的乙醇气体中,当外加偏置电压为18.4 V时,其电流灵敏度最高可达617%。

摘要： 李玉金、元秀华、赵茗、王运河发表在《物理学报》的文章:“环形ZnO薄膜谐振器的横模抑制与测试分析"”(《物理学报》2015,64(22):224601,DOI:10.7498/aps.64.224601),由于当时未能详察,文中图2(a)与山东科技大学韩程章硕士位论文(2012年6月)的图3.12类似,被质疑涉嫌篡改.为避免学术不端,通信作者提出撤稿,特此声明.

摘要： 目的通过优化原子层沉积工艺获取不同厚度ZnO薄膜,研究ZnO薄膜晶体取向对ZnO−MoS_(2)涂层生长结构的影响,获得具有优异摩擦学性能的ZnO−MoS_(2)/ZnO复合涂层。方法采用原子层沉积法在不锈钢基体上预沉积不同厚度的ZnO薄膜,再用射频磁控溅射技术继续沉积ZnO−MoS_(2)涂层,制备ZnO−MoS_(2)/ZnO固体润滑复合涂层。结果X射线衍射分析发现,预沉积ZnO薄膜有诱导后续ZnO−MoS_(2)涂层沉积生长的作用,预沉积100 nm厚ZnO薄膜的ZnO−MoS_(2)/ZnO复合涂层显示出宽化的MoS_(2)(002)馒头峰,其截面形貌显示为致密的体型结构,获得的摩擦因数最低(0.08),纳米硬度最高(2.33 GPa),硬度/模量比显示该复合涂层的耐磨损性能得到提升;X射线光电子能谱分析结果表明,复合涂层表面游离S与空气中水发生反应程度大约为原子数分数5%,显示复合涂层耐湿性能较好;基于原子层沉积ZnO薄膜生长及其对后续ZnO−MoS_(2)涂层生长的影响分析,提出了ZnO−MoS_(2)/ZnO复合涂层磨损模型,阐明了ZnO薄膜对复合涂层结构及摩擦学性能的影响,并以该模型解释了200 nm厚ZnO薄膜上沉积ZnO−MoS_(2)涂层出现的摩擦因数由高到低的变化趋势及最终磨损失效现象。结论合适的原子层沉积制备的ZnO薄膜有利于MoS_(2)(002)取向生长,可有效提升ZnO−MoS_(2)/ZnO复合涂层的摩擦学性能;控制ZnO薄膜厚度,可实现ZnO薄膜与基底及ZnO−MoS_(2)层间界面之间的优化结合,以制得具有较好摩擦学性能及使用寿命的ZnO−MoS_(2)/ZnO复合涂层。

摘要： 文章对原子层淀积(ALD)Si掺杂ZnO(SZO)薄膜的结构、电学和光学性能进行研究.通过生长ZnO和SiO2叠层的方法得到不同硅(Si)掺杂浓度的SZO薄膜,XRD测量结果表明,SZO薄膜为多晶结构,AFM测量结果表明,掺杂后样品的表面粗糙度变小.随着Si掺杂浓度的提高,SZO薄膜的载流子浓度先增大后减小,电阻率不断增大. SZO薄膜的可见光透射率在85%之上,光致发光谱表面SZO薄膜的发光以紫外光为主. ALD生长的SZO薄膜可以通过调整Si浓度对其光电性能进行精确调控,在透明导电薄膜、薄膜晶体管、紫外发光和探测器件方面有巨大的应用潜力.

摘要： 采用化学液相沉积法制备片状纳米ZnO薄膜材料。通过X射线粉末衍射、热重-差热、场发射扫描电镜法和透射电镜等方法对ZnO薄膜材料进行表征,并将此材料制作成染料敏化太阳能电池光阳极。由纤维锌矿纳米片状ZnO组成的13μm厚薄膜光阳极,在AM1.5的测试条件下染料敏化太阳能电池的总光电转化效率达到1.87%。

摘要： 采用化学液相沉积法制备片状纳米ZnO薄膜材料.通过X射线粉末衍射、热重-差热、场发射扫描电镜法和透射电镜等方法对ZnO薄膜材料进行表征,并将此材料制作成染料敏化太阳能电池光阳极.由纤维锌矿纳米片状ZnO组成的13 μm厚薄膜光阳极,在AM1.5的测试条件下染料敏化太阳能电池的总光电转化效率达到1.87％.

摘要： ZnO是目前使用广泛的半导体材料,但本征ZnO存着在一定的缺陷,现通过溶胶-凝胶旋涂法分别以乙酸锌(Zn(CH3 COO)2?2H2 O)为锌源、硝酸铟(In(NO3)3?H2 O)为铟源、氯化铵(NH4 Cl)为氮源制备了In-N共掺的ZnO薄膜,由此来改善其相关性能.所制备样品的晶格结构、表面形貌、光学透过率及光学带隙分别通过X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)来进行表征和分析.结果表明:随着N掺杂量的增加,In-N共掺ZnO薄膜的结晶度有了明显的改善,晶粒大小均匀且尺寸逐渐减小,光透过率逐渐增加,相比于单掺样品禁带宽度减小.当N掺杂量为8.0 at％时,ZnO薄膜的晶粒尺寸及分布最为均匀、表面平整、光透过率达90％、禁带宽度轻微减小,所形成的薄膜质量最好.

摘要： 本文采用阴极电沉积的方法,在2 ZnCl的水溶液中,以KCl 为导电盐,金属Zn 片为阳极,分别以ITO/玻璃、玻璃/Mo/CIGS/CdS、玻璃/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO 为阴极制备了ZnO薄膜,对沉积过程及薄膜物相进行了分析,并通过在ITO 导电玻璃上电沉积ZnO 薄膜,研究其透过率和禁带宽度等,获得了电沉积的合适条件.以此电沉积ZnO:Cl 为窗口层的CIGS太阳电池效率最高达到9.03%.

摘要： 本文采用阴极电沉积的方法,在2 ZnCl的水溶液中,以KCl 为导电盐,金属Zn 片为阳极,分别以ITO/玻璃、玻璃/Mo/CIGS/CdS、玻璃/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO 为阴极制备了ZnO薄膜,对沉积过程及薄膜物相进行了分析,并通过在ITO 导电玻璃上电沉积ZnO 薄膜,研究其透过率和禁带宽度等,获得了电沉积的合适条件.以此电沉积ZnO:Cl 为窗口层的CIGS太阳电池效率最高达到9.03%.

摘要： 本文采用阴极电沉积的方法,在2 ZnCl的水溶液中,以KCl 为导电盐,金属Zn 片为阳极,分别以ITO/玻璃、玻璃/Mo/CIGS/CdS、玻璃/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO 为阴极制备了ZnO薄膜,对沉积过程及薄膜物相进行了分析,并通过在ITO 导电玻璃上电沉积ZnO 薄膜,研究其透过率和禁带宽度等,获得了电沉积的合适条件.以此电沉积ZnO:Cl 为窗口层的CIGS太阳电池效率最高达到9.03%.

摘要： 用稀盐酸作为腐蚀液，对硅基ZnO薄膜MIS结构发光器件中的Zno薄膜进行表面织构化处理。在正向偏压(硅衬底接负压)下，未经表面织构化处理的器件产生随机激射的阈值电流为～16 mA，而经过表面织构化处理后的器件的阈值电流仅为～6 mA；在相同的注入电流下，经过表面织构化处理的器件比未经处理的器件发光更强。rn 我们认为，表面织构化对随机激射性能的改善作用主要来自于Zno/SiO2界面处光多重散射的增强以及光出射范围的增大。

摘要： 用稀盐酸作为腐蚀液，对硅基ZnO薄膜MIS结构发光器件中的Zno薄膜进行表面织构化处理。在正向偏压(硅衬底接负压)下，未经表面织构化处理的器件产生随机激射的阈值电流为～16 mA，而经过表面织构化处理后的器件的阈值电流仅为～6 mA；在相同的注入电流下，经过表面织构化处理的器件比未经处理的器件发光更强。rn 我们认为，表面织构化对随机激射性能的改善作用主要来自于Zno/SiO2界面处光多重散射的增强以及光出射范围的增大。

摘要： 用稀盐酸作为腐蚀液，对硅基ZnO薄膜MIS结构发光器件中的Zno薄膜进行表面织构化处理。在正向偏压(硅衬底接负压)下，未经表面织构化处理的器件产生随机激射的阈值电流为～16 mA，而经过表面织构化处理后的器件的阈值电流仅为～6 mA；在相同的注入电流下，经过表面织构化处理的器件比未经处理的器件发光更强。rn 我们认为，表面织构化对随机激射性能的改善作用主要来自于Zno/SiO2界面处光多重散射的增强以及光出射范围的增大。

摘要： 用稀盐酸作为腐蚀液，对硅基ZnO薄膜MIS结构发光器件中的Zno薄膜进行表面织构化处理。在正向偏压(硅衬底接负压)下，未经表面织构化处理的器件产生随机激射的阈值电流为～16 mA，而经过表面织构化处理后的器件的阈值电流仅为～6 mA；在相同的注入电流下，经过表面织构化处理的器件比未经处理的器件发光更强。rn 我们认为，表面织构化对随机激射性能的改善作用主要来自于Zno/SiO2界面处光多重散射的增强以及光出射范围的增大。

摘要： 用稀盐酸作为腐蚀液，对硅基ZnO薄膜MIS结构发光器件中的Zno薄膜进行表面织构化处理。在正向偏压(硅衬底接负压)下，未经表面织构化处理的器件产生随机激射的阈值电流为～16 mA，而经过表面织构化处理后的器件的阈值电流仅为～6 mA；在相同的注入电流下，经过表面织构化处理的器件比未经处理的器件发光更强。rn 我们认为，表面织构化对随机激射性能的改善作用主要来自于Zno/SiO2界面处光多重散射的增强以及光出射范围的增大。

摘要： 本文分别以PEN和玻璃为衬底材料，用直流磁控溅射的方法制备ZnO薄膜，作为pin型非晶硅太阳电池的面电极。在不同的溅射功率下，Zn0薄膜表现出不同的光学特性和电学性能。对比玻璃和PEN衬底，通过XRD、霍尔等测试发现不同衬底Zn0薄膜的光电特性和结构具有相同的变化规律。将优化的ZnO薄膜应用于透明柔性衬底PEN作为pin型非晶硅薄膜太阳电池的面电极。

摘要： 本文分别以PEN和玻璃为衬底材料，用直流磁控溅射的方法制备ZnO薄膜，作为pin型非晶硅太阳电池的面电极。在不同的溅射功率下，Zn0薄膜表现出不同的光学特性和电学性能。对比玻璃和PEN衬底，通过XRD、霍尔等测试发现不同衬底Zn0薄膜的光电特性和结构具有相同的变化规律。将优化的ZnO薄膜应用于透明柔性衬底PEN作为pin型非晶硅薄膜太阳电池的面电极。

摘要： 本发明公开了一种制备多级结构Ag‑ZnO薄膜的方法及其制备的多级结构Ag‑ZnO薄膜，方法的步骤中含有：(a)制备Ag‑ZnO薄膜；(b)将步骤(a)制备得到的Ag‑ZnO薄膜进行真空快速退火处理；(c)退火结束后自然冷却至室温，得到Ag纳米颗粒修饰的多级结构ZnO薄膜，该Ag纳米颗粒修饰的多级结构ZnO薄膜为多级结构Ag‑ZnO薄膜。本发明不仅制备过程简单，而且具有高效可见光响应性能和优异的光催化性能。

摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯的可重复使用ZnO单晶衬底及制备ZnO薄膜的方法，具体方案为：首先通过湿法转移将至少两层石墨烯转移到ZnO单晶衬底上；然后在ZnO/双层石墨烯衬底上生长ZnO薄膜；最后将ZnO薄膜从ZnO单晶衬底上剥离下来，由于石墨烯与ZnO薄膜之间通过比较弱的范德华力结合在一起，因此可以轻易地将ZnO薄膜从ZnO/石墨烯衬底上剥离，从而实现ZnO单晶衬底的重复利用。本发明通过将至少双层石墨烯转移到ZnO单晶衬底上，实现了ZnO单晶衬底的重复利用，降低了ZnO单晶衬底的使用成本，同时剥离下来的ZnO薄膜也可用于柔性器件的制备。

摘要： 本发明属于透明导电材料领域，具体涉及一种ZnO/Al/ZnO光电透明导电薄膜的沉积制备方法。本发明方法是将玻璃基片清洗送入气相沉积反应室，向反应室内同时通入携带有Zn(CH

摘要： 本发明公开了一种制备多级结构Ag‑ZnO薄膜的方法及其制备的多级结构Ag‑ZnO薄膜，方法的步骤中含有：(a)制备Ag‑ZnO薄膜；(b)将步骤(a)制备得到的Ag‑ZnO薄膜进行真空快速退火处理；(c)退火结束后自然冷却至室温，得到Ag纳米颗粒修饰的多级结构ZnO薄膜，该Ag纳米颗粒修饰的多级结构ZnO薄膜为多级结构Ag‑ZnO薄膜。本发明不仅制备过程简单，而且具有高效可见光响应性能和优异的光催化性能。

摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯的可重复使用ZnO单晶衬底及制备ZnO薄膜的方法，具体方案为：首先通过湿法转移将至少两层石墨烯转移到ZnO单晶衬底上；然后在ZnO/双层石墨烯衬底上生长ZnO薄膜；最后将ZnO薄膜从ZnO单晶衬底上剥离下来，由于石墨烯与ZnO薄膜之间通过比较弱的范德华力结合在一起，因此可以轻易地将ZnO薄膜从ZnO/石墨烯衬底上剥离，从而实现ZnO单晶衬底的重复利用。本发明通过将至少双层石墨烯转移到ZnO单晶衬底上，实现了ZnO单晶衬底的重复利用，降低了ZnO单晶衬底的使用成本，同时剥离下来的ZnO薄膜也可用于柔性器件的制备。

摘要： 本发明公开了一种ZnO/BS/Cu/ZnO多层结构透明导电薄膜的制备方法，先将ZnO、BS即BaSnO

摘要： 本发明提供了一种ZnO/Mo/ZnO透明导电薄膜的制备方法，室温下先将基片清洗，用氮气枪吹干；然后将ZnO靶材、Mo靶材和基片放入磁控溅射反应室，将反应室抽真空，打开温控电源，将基片加热，向反应室通入氩气和氧气的混合气，开启ZnO靶材一侧的射频电源，溅射ZnO靶材；将反应室重新抽真空，开启Mo靶材一侧的射频电源，溅射Mo靶材；将反应室重新抽真空，再开启ZnO靶材一侧的射频电源，溅射ZnO靶材；然后将样品取出，放到马弗炉中退火，冷却后得到ZnO/Mo/ZnO叠层结构透明导电薄膜。本发明利用ZnO的良好光电性能和Mo的低电阻率，制备成叠层ZnO/Mo/ZnO透明导电薄膜。

摘要： 本发明公开了一种ZnO/Ag/ZnO复合透明导电薄膜的制备方法，属于复合功能薄膜材料技术领域。本发明的技术方案要点为：一种ZnO/Ag/ZnO复合透明导电薄膜的制备方法，在基底上先利用溶胶旋涂法制备掺杂ZnO薄膜，然后在掺杂ZnO薄膜上制备Ag薄膜，再在Ag薄膜上制备掺杂ZnO薄膜，低温烧结后得到ZnO/Ag/ZnO复合透明导电薄膜。本发明采用溶胶-凝胶技术制备掺杂ZnO薄膜和Ag薄膜的方法制得的ZnO/Ag/ZnO复合透明导电薄膜具有较好的透过率和导电性能，并且成本低廉，适于工业化生产。

摘要： 通过采用包括金属元素的种子层，包括纯氧化锌和掺杂氧化锌的氧化锌层能够以优化的晶体取向和改进的导电性沉积。通过选定在低温下容易在玻璃衬底上结晶，并且具有优化晶体取向和尺寸的金属元素，能够形成具有优化晶体取向和大粒度的氧化锌层，从而能够优化透明传导氧化层堆叠。

摘要： 在ZnO单晶衬底上低温生长高质量ZnO薄膜材料的方法，包括如下步骤：1)选取ZnO单晶作为生长衬底；选取极性面是Zn极性面作为生长衬底；2)对衬底进行预处理；3)进行ZnO薄膜的低温生长；衬底表面温度400°C–500°C，采用二甲基锌和叔丁醇分别作锌源和氧源，高纯氮气作载气和稀释气，DMZn和t-BuOH的流速分别为10-40SCCM和100-400SCCM，生长过程中，反应腔压力为15–30kPa；生长时间决定膜的厚度，一般生长时间为15–60min；4)对生长的ZnO薄膜进行适当的原位热处理。