集成电路制造

摘要： 阐述集成电路工艺课程的教学内容,集成电路工艺课程教学对于其他集成电路类课程的作用,包括单晶硅制备流程、光刻工艺的步骤、扩散工艺流程。

摘要： 阐述半导体制造过程中的重要设备气体纯化器的发展背景,气体纯化设备的国产化替代历程,存在的问题和应对的策略,从而适应集成电路产业的发展步伐。

摘要： “无论是延续摩尔定律,还是拓展摩尔定律,都离不开先进封装技术,先进工艺和先进封装是推动集成电路制造技术的两个引擎。”2021年5月19日,集微龙门阵首次线下论坛举办,在这场以“半导体供应链重整时代下,先进封测的挑战和机遇”为主题的盛会上,厦门大学教授于大全以“新时代先进封装技术”为主题发表演说,将我国封装技术多年发展、“从零到一”的艰辛历程娓娓道来,同时,面向新时代,对封测技术的发展提出自己更高的目标。

摘要： 阐述中芯国际SMIC成长历程,对中国集成电路制造企业的启示,包括资金、知识产权、人才、风险应对等方面。建议集成电路制造企业从市场化投资融资、加强知识产权保护、加大核心人才激励、做好风险控制,从而不断推动集成电路产业做强做大。

摘要： 阐述在半导体制造过程中,钨化学气相沉积工艺由于其在接触孔/通孔中优良的填孔能力而被广泛应用于芯片制造中,在钨薄膜淀积过程中会出现因硅烷(SiH_(4))/氟化钨(WF_(6))比例不同而造成的缺陷问题。探讨硅烷(SiH_(4))过量而产生的气相成核(GPN)颗粒缺陷及氟化钨(WF6)扩散至氮化钛薄膜下底与钛和硅反应生成钛氟化物(TiF_(3)/TiF_(4))或者硅氟化物(SiF_(4))的腐蚀缺陷(火山效应)以及对其产生机理进行了简要概述,并对其缺陷的产生提出了有效的改善方法。

摘要： 阐述半导体生产中,连环许容时间区段某工序设备异常时,实现产品实时调度的管理方法。通过设置产品在各许容时工艺段的品质风险等级,在实时调度中实现对不同区段在制品的风险评估和决策。

摘要： 叶彬群众,浦东新区第七届人大代表,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司技术研发资深总监。先进集成电路制造技术研发是“中国芯”发展规划的核心内容,也是反击国外“卡脖子”的前沿阵地,对促进经济发展、保障国家安全、提升综合国力具有重大战略意义。我深知使命所在,将结合日常工作与代表履职,推动集成电路技术和产业发展,不负国家和人民所托。

摘要： 阐述CMOS技术进入深纳米工艺节点,鳍式场效应晶体管以其优异的电学性能成为目前的主流器件。当工艺发展到Fin周期小于40nm时,开展自对准四重图形化技术研究,以实现场效应晶体管的鳍结构显得尤为重要。探讨北方华创公司的NMC 612D刻蚀机,开发了完整的鳍自对准四重图形化集成工艺流程,优化了关键刻蚀工艺。研究得到的形貌优化后具有24nm周期的鳍透射电子显微镜(TEM)截面图显示,所得鳍结构的特征尺寸均匀性、线宽/线边粗糙度和周期漂移等关键工艺指标都达到要求。

摘要： 阐述背照式CMOS图像传感器,是将硅片减薄后,在光电二极管photodiode背面搭建Color filter及Micro Lens形成的。相比前照式CMOS图像传感器,光线由背面射入,增大了光电元件感光面积,减少了光线经过布线时的损失,可以大幅提高CIS在弱光环境下的感光能力。在整个工艺中流程,深沟槽隔离DTI作为关键工艺步骤,防止光电二极管信号串扰。DTI刻蚀的形貌至关重要,决定能否顺利填充。目前业界有采用U和V型隔离槽。基于V型隔离槽形貌情况,结合填充能力,探讨加工晶圆中心区域存在Crack缺陷的问题,针对此问题,基于刻蚀角度优化V型隔离槽顶部的Bowling,通过实验对Bowling产生的机理和通过优化刻蚀菜单的方法,减小Bowling值,Bowling越小越有利于后续的填充,最终实现无Crack缺陷的方法。最终产品晶圆的良率将得到有效提高。

摘要： 阐述腔体匹配(Chamber Matching, CM)是纳米尺度半导体工艺最为关键的挑战之一,随着特征尺寸的不断缩小,半导体工艺对细微误差变得越发敏感,对设备性能的一致性、稳定性提出了更高的要求。在量产Fab中,同一产品、工艺经过不同的腔体需获得一致的工艺结果,但由于刻蚀设备数量多,腔体数量大,腔体情况复杂,结果往往存在偏差。快速发现腔体状态变化,及时根因溯源,甚至提前预知腔体潜在问题对于半导体制造具有显著价值,传统FDC功能监控数据维度较少,分析方法单一,逐渐变得难以适应先进的工艺需求。提出了一套综合而有效的智能化分析方法,融合主成分分析(principle component analysis,PCA)和随机森林对传感器进行重要性排序,定位失配的工艺步骤(step)和问题传感器。针对设备数据特征维度大、干扰性强和冗余度高的特点,采用逐步回归,提炼高质量特征,改善模型的分类效果。最后通过与Fab工程师协同,更换部件,监控效果,完成对腔体问题的全周期监控,从而保证Fab生产高效稳定地进行。

摘要： 目的：分析集成电路制造建设项目职业病危害应急救援系统存在的问题,探讨完善应急救援系统建设.rn 方法：对2002年7月～2009年9月开展的11项集成电路制造建设项目职业病危害应急救援资料进行分析.rn 结果：集成电路制造建设项目职业病危害事故应急救援评价合格率为91.4%,氨、氯、磷化氢、砷化氢、一氧化碳等是导致职业病危害事故的常见毒物,其分布具有项目相对集中及危害毒物相对集中的特征.rn 结论：部分集成电路制造建设项目在职业病危害事故应急救援方面存在不足.建设单位应严格按照国家相关法规进行项目建设,政府有关部门要加强监管.

摘要： 特种气体在集成电路制造过程中发挥着重大作用，但在使用过程中可能会出现气体泄漏或者气体流量压力不稳定等突发状况。本文采用ARM9作主控单元,基于嵌入式技术和分布式系统的基本原理来对特气进行有效的监控,具有数据采集处理,报警预测和通信功能,提高了生产设备的利用率,在一定程度上也保证了生产安全和产品良率。

摘要： There is a big boost in demand of MEMS in the last two years driven by their use in consumer applications such as smart phones, tablets and gaming consoles. Yole Developpment predicts about 14%compound annual growth of MEMS for next five year with a market of $19.5B in 2016. This increasing demand for MEMS has brought in significant change in the MEMS manufacturing landscape. Currently MEMS manufacturing is dominated by IDMs. MEMS foundries have only about 9%share of total MEMS revenue. Majority of these MEMS foundries are involved in manufacturing of high Value and low Volume specialty MEMS products. However, with increasing demand, new business opportunities have emerged for high Volume manufacturing of MEMS by these foundries. There is also a trend of IDMs outsourcing their MEMS business to stay competitive in growing consumer market. Fables companies are also gearing up to grab a larger share of MEMS market. The competitive pressure has also accelerated the use of 8"substrate for MEMS. The growing business potential, as well as use of 8" infrastructure for MEMS fabrication, has also attracted some Integrated Circuits (ICs) foundries to enter into manufacturing of MEMS.

摘要： There is a big boost in demand of MEMS in the last two years driven by their use in consumer applications such as smart phones, tablets and gaming consoles. Yole Developpment predicts about 14%compound annual growth of MEMS for next five year with a market of $19.5B in 2016. This increasing demand for MEMS has brought in significant change in the MEMS manufacturing landscape. Currently MEMS manufacturing is dominated by IDMs. MEMS foundries have only about 9%share of total MEMS revenue. Majority of these MEMS foundries are involved in manufacturing of high Value and low Volume specialty MEMS products. However, with increasing demand, new business opportunities have emerged for high Volume manufacturing of MEMS by these foundries. There is also a trend of IDMs outsourcing their MEMS business to stay competitive in growing consumer market. Fables companies are also gearing up to grab a larger share of MEMS market. The competitive pressure has also accelerated the use of 8"substrate for MEMS. The growing business potential, as well as use of 8" infrastructure for MEMS fabrication, has also attracted some Integrated Circuits (ICs) foundries to enter into manufacturing of MEMS.

摘要： There is a big boost in demand of MEMS in the last two years driven by their use in consumer applications such as smart phones, tablets and gaming consoles. Yole Developpment predicts about 14%compound annual growth of MEMS for next five year with a market of $19.5B in 2016. This increasing demand for MEMS has brought in significant change in the MEMS manufacturing landscape. Currently MEMS manufacturing is dominated by IDMs. MEMS foundries have only about 9%share of total MEMS revenue. Majority of these MEMS foundries are involved in manufacturing of high Value and low Volume specialty MEMS products. However, with increasing demand, new business opportunities have emerged for high Volume manufacturing of MEMS by these foundries. There is also a trend of IDMs outsourcing their MEMS business to stay competitive in growing consumer market. Fables companies are also gearing up to grab a larger share of MEMS market. The competitive pressure has also accelerated the use of 8"substrate for MEMS. The growing business potential, as well as use of 8" infrastructure for MEMS fabrication, has also attracted some Integrated Circuits (ICs) foundries to enter into manufacturing of MEMS.

摘要： There is a big boost in demand of MEMS in the last two years driven by their use in consumer applications such as smart phones, tablets and gaming consoles. Yole Developpment predicts about 14%compound annual growth of MEMS for next five year with a market of $19.5B in 2016. This increasing demand for MEMS has brought in significant change in the MEMS manufacturing landscape. Currently MEMS manufacturing is dominated by IDMs. MEMS foundries have only about 9%share of total MEMS revenue. Majority of these MEMS foundries are involved in manufacturing of high Value and low Volume specialty MEMS products. However, with increasing demand, new business opportunities have emerged for high Volume manufacturing of MEMS by these foundries. There is also a trend of IDMs outsourcing their MEMS business to stay competitive in growing consumer market. Fables companies are also gearing up to grab a larger share of MEMS market. The competitive pressure has also accelerated the use of 8"substrate for MEMS. The growing business potential, as well as use of 8" infrastructure for MEMS fabrication, has also attracted some Integrated Circuits (ICs) foundries to enter into manufacturing of MEMS.

摘要： 本文简要地介绍了晶圆级芯片尺寸封装的概念和特点,随后以全球领先的晶圆级芯片尺寸封装技术,即Shellcase的ShellOPTM,ShellOCTM,ShellUTTM为例,进行了比较介绍.文中也着重给出了ShellOCTM封装的基本流程和技术特点.晶方半导体科技(苏州)有限公司引进了Shellcase封装技术,并已运行全球第一条ShellOCTM量产线.本文也叙述了此量产线在晶方半导体科技有限公司的运行现状及该线的主要产品和应用。

摘要： 本文简要地介绍了晶圆级芯片尺寸封装的概念和特点,随后以全球领先的晶圆级芯片尺寸封装技术,即Shellcase的ShellOPTM,ShellOCTM,ShellUTTM为例,进行了比较介绍.文中也着重给出了ShellOCTM封装的基本流程和技术特点.晶方半导体科技(苏州)有限公司引进了Shellcase封装技术,并已运行全球第一条ShellOCTM量产线.本文也叙述了此量产线在晶方半导体科技有限公司的运行现状及该线的主要产品和应用。

摘要： 本文简要地介绍了晶圆级芯片尺寸封装的概念和特点,随后以全球领先的晶圆级芯片尺寸封装技术,即Shellcase的ShellOPTM,ShellOCTM,ShellUTTM为例,进行了比较介绍.文中也着重给出了ShellOCTM封装的基本流程和技术特点.晶方半导体科技(苏州)有限公司引进了Shellcase封装技术,并已运行全球第一条ShellOCTM量产线.本文也叙述了此量产线在晶方半导体科技有限公司的运行现状及该线的主要产品和应用。

摘要： 本文简要地介绍了晶圆级芯片尺寸封装的概念和特点,随后以全球领先的晶圆级芯片尺寸封装技术,即Shellcase的ShellOPTM,ShellOCTM,ShellUTTM为例,进行了比较介绍.文中也着重给出了ShellOCTM封装的基本流程和技术特点.晶方半导体科技(苏州)有限公司引进了Shellcase封装技术,并已运行全球第一条ShellOCTM量产线.本文也叙述了此量产线在晶方半导体科技有限公司的运行现状及该线的主要产品和应用。

摘要： 本发明涉及在管芯(402)上制造集成电路(404)的方法，其中管芯(402)形成包括多个通过划片通道(403)相互分离的管芯的晶片(401)的可分离部分。本方法包含下述步骤，即在至少其中一个划片通道(403)上施加金属化图形(407)，以形成包含至少一个作为集成电路(404)的一部分的通信总线电路(405)的通信总线。在紧接的下一步骤中，集成电路(404)依据预定的测试方法进行测试，该测试方法使用通信总线电路(405)与集成电路(404)通信。在接下来的步骤中，管芯(402)被从晶片(401)上分离。通信总线电路(405)被设计为在晶片测试模式以及功能性模式下都可以通信。在集成电路(404)的测试过程中，它在晶片测试模式下通信。本发明还涉及利用该制造方法获得的集成电路(404)，包含利用该制造方法获得的集成电路(404)的晶片(401)，以及包含利用该制造方法获得的集成电路(404)的系统。

摘要： 本发明的一实施方式涉及的电容单元，将用于积蓄静电容量的多晶硅栅(6)扩大到单元框(2)中的电源布线位置和接地布线位置。此外，不限于将多晶硅栅(6)扩大到单元框(2)中的电源布线位置和接地布线位置的情况，也可以将多晶硅栅(6)扩大到电源布线位置或接地布线位置的任意一方。这样，在电容单元中主要影响到静电容量的积蓄量的扩散层(3)和多晶硅栅(6)的重复部分的面积(X×Y)被扩大。

摘要： 本发明涉及在管芯(402)上制造集成电路(404)的方法，其中管芯(402)形成包括多个通过划片通道(403)相互分离的管芯的晶片(401)的可分离部分。本方法包含下述步骤，即在至少其中一个划片通道(403)上施加金属化图形(407)，以形成包含至少一个作为集成电路(404)的一部分的通信总线电路(405)的通信总线。在紧接的下一步骤中，集成电路(404)依据预定的测试方法进行测试，该测试方法使用通信总线电路(405)与集成电路(404)通信。在接下来的步骤中，管芯(402)被从晶片(401)上分离。通信总线电路(405)被设计为在晶片测试模式以及功能性模式下都可以通信。在集成电路(404)的测试过程中，它在晶片测试模式下通信。本发明还涉及利用该制造方法获得的集成电路(404)，包含利用该制造方法获得的集成电路(404)的晶片(401)，以及包含利用该制造方法获得的集成电路(404)的系统。

摘要： 为了提供以低成本大量生产的薄膜集成电路，根据本发明的薄膜集成电路的制造方法包括下列步骤：在衬底上面形成剥离层；在剥离层上面形成底部薄膜；在底部薄膜上面形成多个薄膜集成电路器件；在多个薄膜集成电路器件之间的边界处形成凹槽；以及在凹槽中引入包含卤素氟化物的气体或液体，从而去除剥离层；因而使多个薄膜集成电路器件相互分离。

摘要： 本申请案涉及集成电路、集成电路的电容器阵列以及用于制造集成电路的方法。集成电路包括多个水平排列成二维2D网格的特征。所述2D网格包括具有四个网格点并且在成对的所述四个网格点之间具有四个直线侧边的平行四边形单位单元。所述平行四边形单位单元具有横跨在所述四个网格点中的两个对角线上对置的网格点之间的直线对角线。所述直线对角线比所述四个直线侧边中的每一个都要长。所述各个特征处于所述四个网格点中的一个处并且沿着相对于所述四个直线侧边中的每一个水平地成角度的方向占据水平拉长的最大水平区域。还公开其它实施例，包含方法实施例。

摘要： 本发明提供一种即使小型化也能利用电容耦合安装到电路基板的半导体集成电路装置。在隔着绝缘膜依次层叠多根布线的半导体基板(11)的主表面(11a)上形成钝化膜(14)，所述钝化膜(14)具有使最上层布线(12)的至少一部分露出的开口(15)。形成电极(19)以被覆从钝化膜(14)的开口(15)露出的最上层布线(12)以及钝化膜(14)的开口(15)的周围，形成介质层(20)以被覆电极(19)。电极(19)中形成于钝化膜(14)的表面(14a)的延伸部(19a)、与电路基板(2)的电极(4)隔着介质层(20)电容耦合。

摘要： 本发明的一实施方式涉及的电容单元，将用于积蓄静电容量的多晶硅栅(6)扩大到单元框(2)中的电源布线位置和接地布线位置。此外，不限于将多晶硅栅(6)扩大到单元框(2)中的电源布线位置和接地布线位置的情况，也可以将多晶硅栅(6)扩大到电源布线位置或接地布线位置的任意一方。这样，在电容单元中主要影响到静电容量的积蓄量的扩散层(3)和多晶硅栅(6)的重复部分的面积(X×Y)被扩大。

摘要： 在树脂封装壳体(6)中包括在第一晶片(2)上制造的数字信号处理集成电路(8)和在第二晶片(3)上制造的数模转换电路(9)。第一外部端子(16)通过对应的主输入开关(19)被选择性地耦接到数字信号处理集成电路(8)的对应第一输入端子(10)，并且数字信号处理集成电路(8)的第一输出端子(11)通过主输出开关(23)和从输入开关(25)被选择性地耦接到数模转换电路(9)的第二输入端子(12)。数模转换电路(9)的第二输出端子(13)通过从输出开关(30)被选择性地耦接到第二外部端子(17)。开关(19、23、25、30)被构造用于通过向第一外部端子(16)中适当的一个施加测试信号并在第二外部端子(17)读取响应信号，来选择性测试在第一输入、输出端子(10，11)的可选组合和第二输入、输出端子(12，13)的可选组合之间的数字信号处理集成电路(8)和数模转换电路(9)的功能。

摘要： 本发明的各个实施例涉及：致使对集成电路的逆向工程更加困难的集成电路制造方法、以及对应的集成电路。一种集成电路，其包括具有形成在其上的多个功能块的衬底。至少两个相同的功能块分别设置在集成电路上的两个或更多个不同位置处。提供了在功能块的内部和/或邻近区域中的电无源伪模块，其中至少两个不同的电无源伪模块被包括在该至少两个相同的功能块的内部和/或邻近区域中。

摘要： 本发明的各个实施例涉及：致使对集成电路的逆向工程更加困难的集成电路制造方法、以及对应的集成电路。一种集成电路，其包括具有形成在其上的多个功能块的衬底。至少两个相同的功能块分别设置在集成电路上的两个或更多个不同位置处。提供了在功能块的内部和/或邻近区域中的电无源伪模块，其中至少两个不同的电无源伪模块被包括在该至少两个相同的功能块的内部和/或邻近区域中。