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公开/公告号CN114045468B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-07-19
原文格式PDF
申请/专利权人 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院);
申请/专利号CN202111283138.3
发明设计人 程厚义;艾梅尔;李成;杜寅昌;赵巍胜;姚宇暄;许人友;汪建;王燕;
申请日2021-11-01
分类号C23C14/50;C23C14/54;
代理机构合肥天明专利事务所(普通合伙);
代理人张梦媚
地址 230013 安徽省合肥市新站高新区文忠路999号
入库时间 2022-09-06 00:36:03
机译: 有机金属化合物,含有有机金属化合物的薄膜气相沉积组合物,使用薄膜气相沉积组合物的薄膜制造方法,由薄膜气相沉积组合物制造的薄膜,以及含有薄膜的半导体元件。
机译: 用于处理气相沉积设备的方法,用于沉积薄膜的方法,气相沉积设备以及用于实现该方法的计算机程序产品
机译: 物理气相沉积真空室,物理气相沉积的方法以及由此产生的薄膜装置和液晶显示器
机译:通过三种不同的物理气相沉积方法对Monbtavw Hea薄膜的角度依赖性沉积
机译:铜薄膜的射频电离物理气相沉积:在聚合物基底上的沉积
机译:物理气相沉积法增强薄膜固体氧化物燃料电池三相边界的方法
机译:用物理气相沉积方法获得光学标签生物传感应用的物理气相沉积方法的钛氧化钛薄膜的生物官能化效果
机译:卷对卷柔性无源和有源电子设备的物理气相沉积和图案化薄膜的特性。
机译:不锈钢薄膜的沉积:电子束物理气相沉积方法
机译:通过湿法制备薄膜 - 它们的结构和性质。通过液相沉积方法沉积SiO2薄膜,用于电子设备。
机译:反应电子束 - 物理气相沉积(EB-pVD)沉积的微米厚氧化钆薄膜的工艺 - 结构 - 性质关系。