光刻

摘要： 为给"卡脖子"领域提供发展启示,利用情报学方法开展科研产出数据挖掘分析并建立"卡脖子"问题的情报学研究模式,按"情报学分析→‘卡脖子’领域发展特征→多层面启示"的路径进行:采用文献计量、共现与聚类方法,将分析出的发文量、主体排名、聚类和密度等文献特征与科研产出时序、科研地位、机构合作和领域技术等领域发展特征进行映射关联,从而归纳出"卡脖子"领域总体发展方向、未来趋势走向、竞争合作倾向和技术布局导向等启示。将此研究模式应用于芯片光刻领域的研究表明:光刻领域技术发展与S曲线基本吻合,目前科研产出处在衰退阶段;发文量美国排名第一、中国排名第三,中国科学院排名全球机构第一,但中国与美、日、韩、欧等的影响力差距甚远,且西方各合作集团的国际合作远少于其国内共同研究,技术壁垒依国界划分明显;研究热点包括辐照、光刻胶薄膜、硅、阵列、纳米、自组装以及光刻聚合物等方面,研究体系庞大、分支领域纷繁复杂。基于研究发现,提出我国在光刻领域应当基础研究与应用开发两手抓,并聚焦国内合作,在宏观、中观、微观层面形成政产学研合力;同时抓住技术转型机遇期,敏锐捕捉技术革新方向以提前布局。

摘要： 声表面波(SAW)器件光刻过程中,制作的光刻胶线条宽度与掩模版不一致,特别是不同宽度的非均匀线条光刻后线宽变化值存在偏差。该文研究了接近式曝光衍射效应对线宽的影响,分析了掩模版上线条和缝隙宽度、衍射光强、掩模版与光刻胶间距等参数间的关系。结果表明,通过建立光学模型给出了计算曝光后不同线条宽度变化值的方法,采用程序编程可对掩模版数据中不同尺寸的线条和缝隙宽度进行补偿,实现SAW器件非均匀线条宽度的精确控制。

摘要： 提出了一种快速计算光学系统像面照度均匀性的算法,通过近似算法计算系统数值孔径,并利用出射光瞳数值孔径表征像面照度。利用该算法计算光场不均匀性,将其作为自动优化过程中的评价函数之一,优化设计光刻机照明系统中继镜组。通过Light tools软件对设计的中继镜组进行仿真验证,结果表明不同相干因子照明下掩膜面上的光场不均匀性均小于0.5%。通过实验测试了设计的中继镜组的积分均匀性,结果表明各相干因子下,光场不均匀性小于1.21%,能够满足掩膜面上光场不均匀性的指标需求(<1.5%),验证了该快速评估算法可有效应用于中继镜组优化设计中。

摘要： 设计了一种在近红外太赫兹波段产生电磁响应的超材料器件,该器件单元结构是由全对称的金属四开口谐振环与本征硅衬底组成。通过仿真模拟设计出合理的结构与尺寸的金属谐振环,达到想要的谐振效果。分析了表面电场强度与表面电流流向,以便了解电磁响应机理。通过光刻剥离工艺制备出四开口超材料谐振环,并基于光泵浦探测系统研究了太赫兹光谱透射实验样品后的光频谱响应特征。结果表明:当入射的太赫兹波电场矢量电场与超材料衬底同一条边平行或垂直时,太赫兹都在1THz附近,且响应特征相似。这说明了该全对称结构对于入射太赫兹波的极化并不敏感。此设计在隐身技术、光电器件、传感器和宽带通信等领域具有潜在的应用前景。

摘要： 设计了一种交错梳齿型(SVC)静电驱动MEMS微镜,首先在底层硅片上通过刻蚀预留出微镜活动空间,并进行固定梳齿组刻蚀,然后再在上面键合顶层硅片,并将顶层硅片减薄抛光至目标厚度,再在其上进行移动梳齿组和镜面结构的刻蚀.该工艺既兼顾了SVC型微镜偏转角度较大的优点,又避免了使用SOI衬底导致背面套刻精度差的缺点,提高了整个结构的稳定性,该微镜的最大理论角度可达24.7°.

摘要： 光刻在集成电路制造工艺中占据着非常重要的位置,其中光刻胶的使用必不可少。每种光刻胶的物理和化学特性各有差异,在不同品牌型号光刻机上的表现也会有差异。为更好地匹配不同的光刻机,达成优异的光刻性能表现,使用新款光刻胶时,前处理、软烘、曝光、显影等工艺参数需要进行相应的调整。本文介绍了光刻工艺的基本流程,光刻胶的成分、理化特性及其用途,重点关注显影方式和参数对显影不洁问题的影响,阐述了一款黑色负性光刻胶工艺参数优化的过程,经过多次试验,最终得到了最佳工艺参数:软烘:100°C、120 s;曝光:i-line、150 mj/cm2;显影:扫描显影80 s。

摘要： 根据摩尔定律,半导体芯片单位面积上的晶体管数量每18个月翻一番,当前量产先工艺节点已经演进到3nm,特征尺寸不断缩小,图案越发复杂,芯片制造过程中出现缺陷的概率升高,对检测技术及其关联设备提出了极高的要求。光刻作为半导体制造中的核心模块,其工艺质量直接决定了后续工艺准确度,由于图案尺寸小于光源波长,衍射效应显著,导致曝光图案的高频信息丢失,光刻扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)图像作为曝光图案的直接表示,基于SEM图像的测量在半导体制造中对于图案化工艺质量的评估和监控显得至关重要。SEM图像不仅能够提供图像的特征宽度和特征-特征间距尺寸测量,同时还提供了其它有关图案质量的丰富信息,然而通过视觉检测在SEM图案质量检测方面留下了相当大的模糊空间。为了缩小模糊范围并获得更多关于图案质量的统计定量信息,通常会提取SEM图像轮廓来进一步计量分析。基于轮廓信息,我们能够估计出曝光图案任何位置的尺度信息,例如侧壁角度,临界尺寸等,这些尺度信息可用于光刻热点检测和光刻OPC模型验证等。基于局部信息的经典轮廓提取算法在处理存在噪声的低对比度光刻SEM图像方面尚有不足,如传统的prewit、log、sobel等算子,利用模板匹配无法获得令人满意的轮廓结果;轮廓提取领域的canny算法因其适用性广和效果较好,被广泛应用,但其梯度图像及阈值先验设置往往具有较大主观性,且没有充分利用待处理场景信息,对于较为复杂场景效果仍有待提升。本文通过结合通过结合光刻SEM图像的灰度、拓扑和轮廓长度先验信息,对canny算法进行优化,利用先验信息获得合适的阈值,完成对伪边缘(轮廓)的有效过滤,最终得到了与光刻SEM图像高度吻合的轮廓结果。

摘要： 将光电性能优异、可通过低温溶液法制备的卤化物钙钛矿制成阵列型光电探测器,必将推动其在成像、光通信等领域中的应用。然而,卤化物钙钛矿易被常规溶剂(包括显影液)溶解,导致其与光刻工艺不兼容。自组装单分子疏水层结合光刻工艺的亲水-疏水图形基底制备方法能解决制备过程中极性溶剂与钙钛矿材料不兼容的问题,通过简单的旋涂(极性钙钛矿前驱体溶液仅在亲水图形区域浸润)、低温退火,可以快速获得钙钛矿阵列。CH_(3)NH_(3)PbI_(3)薄膜阵列光电探测器具有良好的光电性能,530 nm光辐照下探测率为4.7×10^(11) Jones,响应度为0.055 A/W。这项工作为制备图案可控的钙钛矿薄膜阵列光电探测器提供了一种简单而有效的策略。

摘要： 调焦调平测量系统是光刻机对焦控制的核心部件,调焦调平测量系统的数据处理精度影响光刻机的对焦控制性能,计算速度影响光刻机产能.论文通过仿真与实验对比分析了多项式拟合算法(polynomial fitting)、RF(random forest)算法和XGBoost(extreme gradient boosting)算法在调焦调平测量系统中的测量精度与计算耗时.仿真与实验结果表明,多项式拟合算法精度随时间变化不敏感,RF算法和XGBoost算法精度随计算时间的增加而迅速提升.对于不存在噪声的仿真数据,7阶多项式拟合的3σ值为0.001nm;RF算法在2ms时可对仿真数据完全拟合;XFBoost算法在5ms时,拟合精度基本趋于稳定,为0.6nm.对于存在噪声的实验数据,RF算法与XGBoost算法对噪声有较好的鲁棒性,随计算时间的增加,RF算法与XGBoost算法拟合精度不断提升并分别于3ms和5ms超越多项式拟合算法,但精度提升有限.在光刻机中,为了兼顾对焦精度和产能,必须兼顾算法的拟合精度与拟合时间,因此调焦调平测量系统选用多项式拟合算法较为合适.

摘要： 研究了曝光剂量对于小孔成型孔径的影响.实验中发现由于SU—8为负性光刻胶,曝光聚焦条件控制不佳会导致倾角较大的倒梯形结构,不利于液体喷射.为了实现陡直的图形结构,深入研究了衬底和紫外曝光焦平面的相对位置(散焦量),对于SU—8光刻胶图形边界倾角的影响机制.研究发现,当散焦量从-0.6μm变化到0.2μm时,SU—8光刻胶的图形边界的倾角从82.3°上升到90°再下降到88.4°,采用最优的90°图形倾角SU—8光刻条件应用于微小网孔的制作中,可以得到微网孔最优化倾角为89°,有利于液体从网孔中出射.应用SU—8光刻工艺,最终可实现最小孔径约3μm,总厚度约20μm,分布周期为300 dpi,均匀分布,一致性好的微小网孔片样品.该研究将有利于超小液滴雾化网孔片在电子烟及医学领域的应用.

摘要： 首次通过结合反应性相分离和光刻技术,采用商业的交联剂和无规共聚物为原料,发展了一套非常简单、有效制备同时具有微米、纳米复合结构的方法。

摘要： 文中描述了用光刻的方法在无机电致发光显示器件上制作上电极的方法,主要介绍了一种不含水的负型光刻胶及配套的纯有机显影液、漂洗液等辅液的使用.利用这种不含水的光刻胶及辅液,光刻抬离使器件上电极成形,这种纯有机试剂可以减少对器件中发光层及介质层的破坏[1],达到精细光刻上电极的目的.简要比较了此种方法与直接掩模法对器件的影响,并提出了改进措施.

摘要： 微电子技术可算得上是人类有年史以来最卓越的技术,微电子技术的发展迅猛异常,迄今为止,在人类的科学技术史还没有一种技术象它这样地真正做到日新月异.由于它的发展,计算机也以极高的速度更新换代,现在计算机已进入千家万户,成为家用电器的一部分,计算机的影响已遍及每一个经济领域和人们生活的每一个方面.微电子技术是一个国家综合实力的体现,是新技术革命的主角,其中光敏高分子对微电子技术的发展起着十分重要的作用,光刻和光刻胶是微电子中的关键技术和关键材料.本文内容包括： 1 、计算机和集成电路的发展 2、 集成电路的制造--光刻与光刻胶 3 、深紫外光光刻技术和光刻胶的发展 4、深紫外光刻(DUV)与化学增幅抗蚀剂

摘要： 采用光刻和射频磁控溅射技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相输运和水热合成法,制备了最小单元为30μm的图形化的ZnO纳米线阵列.X射线衍射(XRD)分析显示单晶纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长性质.从扫描电子显微镜(SEM)照片看出,阵列图形完整清晰,边缘整齐.纳米线阵列在室温下光致发光(PL)谱线中在380nm左右具有强烈的紫外发射峰,可见光区域发射峰得到了抑制,证明ZnO纳米线阵列氧空位缺陷少,晶体质量高。

摘要： 本文阐述用光刻、湿法腐蚀和键合等微细加工技术进行微全分析系统中微通道的研制过程。采用SU-8胶和硅材料制作出了作为聚二甲基硅氧烷的母模板。在优质玻璃材料上制作出微通道,并完成微通道的工艺键合。

摘要： 本文对可控孔阴极的制造工艺进行了摸索,着重描述了用光刻法和聚焦离子束法加工CPD阴极,并给出了用聚焦离子束法加工的CPD阴极的伏安特性和欠热特性.

摘要： 在基底上用于所述基底光学对准的标记结构，所述标记结构包括多个第一结构元件和多个第二结构元件，在使用所述标记结构中，用于提供所述的光学对准，根据-设置直接照射在所述标记结构上的至少一个光束，-用传感器检测从所述标记结构上接收到的光线，-由所述被检测的光确定对准信息，所述对准信息包括与所述基底到所述传感器的位置相关的信息。

摘要： 本发明为一种用于立体光刻机(1)的盒(2；30；31；32；33)，盒(2；30；31；32；33)包括支承结构(34)、容器(3)、第一贮存器(5)、第二贮存器(5a)和给送装置(8)，其中，支承结构(34)适于与立体光刻机(1)以可移除的方式相关联；容器(3)设置有进入开口(4)并且与支承结构(34)相关联；第一贮存器(5)与支承结构(34)相关联以用于容纳液态的或糊状的第一材料(6)，第一材料(6)适于在暴露于预定辐射(7)之后固化；第二贮存器(5a)与支承结构(34)相关联以用于容纳与第一材料(6)不同的液态的或糊状的第二材料(6a)；给送装置(8)与支承结构(34)相关联以从贮存器(5，5a)向容器(3)输送第一材料(6)和第二材料(6a)。

摘要： 本申请公开了一种用于光刻冲洗液的含氟组合物、光刻冲洗液和形成光刻胶图案的光刻方法，涉及光刻技术领域。含氟组合物包括具有以下通式结构的全氟聚醚羧酸：，n=0‑5；以全氟聚醚羧酸在含氟组合物中的质量百分含量计，n=0时的全氟聚醚羧酸A1的含量为0%~6%，n=1时的全氟聚醚羧酸A2的含量为5%~15%，n=2时的全氟聚醚羧酸A3的含量为10%~40%，n=3时的全氟聚醚羧酸A4的含量为40%~65%，n=4时的全氟聚醚羧酸A5的含量为1%~30%，n=5时的全氟聚醚羧酸A6的含量为0%~5%；全氟聚醚羧酸A3和A4的含量之和大于60%。本申请提供的光刻冲洗液在防止光刻胶图案倒塌和粘结的同时，减少了表面活性剂的残留以及抑制了气泡产生。

摘要： 提供能够适用湿式工艺，用于形成耐热性、抗蚀图案形状、蚀刻耐性、对高低基板的埋入特性和膜的平坦性优异的光刻用膜，耐热性、透明性和折射率优异的光学部件等的含有下述式(1)所示的三嗪系化合物的膜形成材料。

摘要： 下述式(1)所示的化合物及其制造方法、以及组合物、光学部件形成用组合物、光刻用膜形成组合物、抗蚀剂组合物、抗蚀图案的形成方法、辐射敏感组合物、非晶膜的制造方法、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜的制造方法、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法、以及纯化方法。(1)(式(1)中，R1为碳数1～60的2n价基团或单键，R2～R5各自独立地为碳数1～30的直链状、支链状或者环状的烷基、碳数6～30的芳基、碳数2～30的烯基、下述式(A)所示的基团、下述式(B)所示的基团、硫醇基或羟基，此处，选自由R2～R5组成的组中的至少1个为选自由下述式(A)所示的基团和下述式(B)所示的基团组成的组中的基团，m2和m3各自独立地为0～8的整数，m4和m5各自独立地为0～9的整数，其中，m2、m3、m4以及m5不同时为0，n为1～4的整数，p2～p5各自独立地为0～2的整数。)(A)(式(A)中，R6各自独立地为碳数1～4的亚烷基，m’为1以上的整数。)(B)(式(B)中，R6与前述定义相同，R7为氢原子或甲基，m”为0或1以上的整数。)

摘要： 本发明为一种用于立体光刻机(1)的盒(2；30；31；32；33)，盒(2；30；31；32；33)包括支承结构(34)、容器(3)、第一贮存器(5)、第二贮存器(5a)和给送装置(8)，其中，支承结构(34)适于与立体光刻机(1)以可移除的方式相关联；容器(3)设置有进入开口(4)并且与支承结构(34)相关联；第一贮存器(5)与支承结构(34)相关联以用于容纳液态的或糊状的第一材料(6)，第一材料(6)适于在暴露于预定辐射(7)之后固化；第二贮存器(5a)与支承结构(34)相关联以用于容纳与第一材料(6)不同的液态的或糊状的第二材料(6a)；给送装置(8)与支承结构(34)相关联以从贮存器(5，5a)向容器(3)输送第一材料(6)和第二材料(6a)。

摘要： 用于立体光刻三维打印的可光固化组合物，其中所述可光固化组合物包含：光反应性低聚物组分，所述光反应性低聚物组分包含含有光反应性端基的疏水性低聚物；光反应性单体组分，所述光反应性单体组分包含具有光反应性端基的光反应性单体；以及光引发组合物，所述光引发组合物包含光引发剂；所述可光固化组合物的使用Brookfield粘度计确定的在22°C下的粘度为250厘泊至10,000厘泊；以及经光固化的组合物的各自在23°C下在10吉赫下通过分离式介电谐振器测试确定的介电损耗小于0.010，优选地小于0.008，更优选地小于0.006，最优选地小于0.004。

摘要： 本发明涉及光刻材料技术领域，特别是涉及一种正性光刻胶、光刻胶层及其制备方法、光刻工艺。本发明通过选用聚酰胺作为原料，并在其芳环上修饰羟基，以调整聚酰胺在光刻胶溶剂中的溶解性，且可以提供与交联剂反应的位点。聚酰胺树脂与交联剂的反应产物溶解性下降，被固化于基材表面形成胶膜；光刻过程中，曝光部分的光酸发生剂产生光酸，使得架桥解离，再次变成可以被碱性显影液洗去的聚酰胺和交联剂，从而使未曝光部分的图案得以保留。由于聚酰胺与交联剂形成的架桥作用力较弱，即使是较弱的光酸产生剂也能适用于本发明的方案，从而拓宽了光刻胶成品的应用范围；而且，由于光刻胶结构中引入了聚酰胺，光刻胶成品膜的耐热性能有明显的提升。

摘要： 本发明涉及光刻材料技术领域，特别是涉及聚合物、光刻胶、光刻胶层及光刻工艺。本发明通过采用式I所示的聚合物作为光刻胶原料，并限定其重均分子量在一定范围内，相较于传统的酚醛树脂等树脂原料，其具有更好的耐热性和稳定性，制得的光刻胶层能适用于更苛刻的器件加工条件；其在碱性显影液中的溶解度适中，在光刻胶常用溶剂中溶解度较好，能很好地平衡溶解度的问题，较传统技术能成像更好、更精细，且生产效率更高。

摘要： 本发明提供一种投影式光刻机的光源结构、投影式光刻机及光刻工艺，光源结构包括：第一光源，用于产生适于投影式光刻机的第一波长的第一光线；第二光源，用于产生第二光线，其包含第二波长至第三波长之间的一种或两种以上的子光线，第二波长小于第一波长且小于第三波长，第三波长小于第一波长，子光线的波长范围比第一波长小5%~20%；光源耦合器，用于耦合第一光线和第二光线，产生耦合的第三光线包含第一波长和第二波长至第三波长之间的子光线。本发明在无需额外修改工艺或对光刻系统的其他部件进行改动的情况下，该第三光线可以使得光刻机对关键尺寸较小的掩膜图形也有较强的曝光光强投射，从而使光刻机的图案分辨率和对比度大大提高。