摘要:O472007040742在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的剪切应变/王元樟,陈路,巫艳,吴俊,于梅芳,方维政,何力(中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心)//红外与激光工程.―2006,35(4).―429~431,494.利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe缓冲层的剪切应变状况进行了分析。研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚度的增加,[1-1-1]、[01-1]