电学特性

摘要： 材料是时代进步的重要标志,不同的材料结构具有不同的物理、化学性质,进而影响材料的功能特性。为了实现材料的最优化设计,常采用交叉实验的方法,通过开展大量实验探寻材料的最佳结构。该方法步骤繁琐,无法解决涉及高度非线性或大规模组合过程的复杂问题,也很难揭示材料一些罕见特性。随着计算机科学的发展,机器学习作为一种兼顾开发效率以及开发成本的方法,已经逐渐应用于材料发现、结构分析、性质预测、反向设计等诸多领域,并且在材料学研究中展现出惊人的潜力。然而,机器学习在材料科学中的应用仍存在一些瓶颈。数据集的高效获取、异构型数据集的信息处理、基于轻量化数据集的预测模型建立、材料性能的可靠预测等问题制约着该方向的发展,这些也正是该领域亟需解决的关键问题,同时也是机器学习在材料结构与性能预测中研究的热点与难点。近年来,关于机器学习在材料中应用的论文数量逐年增长,利用机器学习指导新型高性能材料合成的案例也比比皆是。通过采用支持向量机、神经网络等机器学习算法训练数据集来构建模型,以预测材料的结构、吸附特性、电学特性、催化性能、力学特性和热力学特性等材料性能,大大推动了机器学习在材料科学领域的发展,并且已经取得重要突破。为了合理地归纳整理该领域的研究成果,指导后续研究,该综述从应用角度出发,讨论了机器学习在材料结构与性能预测中的数据来源、预测模型以及预测结论等,并对机器学习在未来材料领域中的发展进行了展望。

摘要： 为实现对库尔勒香梨振动损伤的有效检测,选取不同成熟度的库尔勒香梨作为试验材料,选择2 Hz、3 Hz和4 Hz作为试验振动频率,使用电学参数检测系统采集电学参数并联等效电容(Cp)和并联等效电阻(Rp),构建电学参数Cp和Rp与振动损伤面积的数学模型并筛选出检测振动损伤库尔勒香梨的最佳电学参数,同时从微观组织结构角度揭示振动损伤的库尔勒香梨电学参数的变化规律。结果表明:随着振动时间以及振动频率的增加,库尔勒香梨损伤面积呈现出递增的变化规律。电学参数Cp、Rp与损伤面积的数学模型均符合二次函数。振动损伤的库尔勒香梨果肉发生塌缩和折叠,果肉组织较为平整,与无损伤库尔勒香梨相比,损伤后库尔勒香梨的电学参数变化表现为Cp增加、Rp减小。在2~4 Hz振动频率下,依据均方根误差(RMSE)和线性回归直线的决定系数(R2)均值筛选出对香梨损伤检测最佳的电学参数为Rp。基于电学特性对库尔勒香梨振动损伤检测具有可行性,研究结果为库尔勒香梨振动损伤检测提供科学理论依据,同时为水果产业减损增效提供理论指导。

摘要： 目的为了有效量化库尔勒香梨因冲击载荷造成的损伤,实现库尔勒香梨冲击损伤量化评价。方法以不同成熟度库尔勒香梨为实验材料,探究不同成熟度下冲击高度与香梨损伤程度的关系,构建冲击高度与香梨损伤程度模型,依据电学特性检测系统构建不同测试频率下电学参数并联等效电容(Cp)与冲击损伤程度的量化模型。结果在同一冲击高度下,香梨损伤程度与成熟度成正比关系。当成熟度为H1—H5,冲击高度为30 cm,与瓦楞纸板进行冲击时,香梨表面未发现损伤。当冲击高度达到150 cm时,不同成熟度香梨表皮均已破损,不同成熟度香梨冲击高度与损伤程度量化模型决定系数R2为0.9849~0.9985,可有效量化评价不同成熟度香梨冲击高度与损伤程度的关系。在同一测试频率下,Cp值随着香梨损伤程度的增加而增大。随着测试频率的升高,电学参数Cp值逐渐减小,5种测试频率、不同成熟度下的量化模型决定系数R2的平均值由高到低为1 kHz、1 MHz、10 kHz、100 kHz、100 Hz。结论在测试频率1 kHz下,所构建的电学参数Cp与冲击损伤面积的量化模型检测效果相对最优,能够有效量化评价香梨的损伤程度。该模型的构建为香梨冲击损伤鉴别提供了理论依据。

摘要： 研究针对不同服役环境下2DSiC/SiC复合材料的电阻率特性进行了研究。从1300°C降至室温的无氧环境中,复合材料的电阻率随温度降低而增大;借助曲线拟合,建立了电阻率与温度之间的映射关系。在1300°C空气环境中氧化20和60 h后,由于PyC界面层和SiC基体的氧化,复合材料的导电性显著降低;以SiO_(2)的含量定量表征氧化程度,建立了电阻率与氧化损伤之间的映射关系。复合材料的电阻率和应力随应变的变化趋势相似,电阻率变化率和刚度随应变的变化趋势相反。在线性阶段,基体开裂数量极少,刚度几乎不变,电阻率缓慢增大;在非线性阶段,基体开裂数量增加较快,造成刚度降低,电阻率快速增大;后半段的基体裂纹数量缓慢增多,刚度和电阻率变化率趋于平稳。

摘要： 基于电学特性的水果无损检测技术可应用于水果品质的定量评价和筛选分级,在果品品质检测方面已有了较多的研究报道。该文基于几种常用的电学参数测定方法,综述了利用电学特性检测水果成熟度、硬度、含水率、可溶性固形物、损伤和病害的研究进展,并对基于电学特性的果品检测技术的研究方向和待解决的问题进行了分析,以期为果品无损检测技术的发展提供参考。

摘要： 骨组织具有独特的电学特性,主要来自于相关细胞如骨细胞、成骨细胞和破骨细胞等与骨细胞外基质的相互作用,可视为介电性能、压电性能、热电性能、铁电性能和流动电位的组合[1]。骨组织的电学特性是调节其稳态、重塑和再生的关键因素。电活性生物材料是一类在外界刺激下能够产生电信号或在外界电刺激的作用下可以改变自身理化特性的生物材料。

摘要： 采用RPD技术进行IWO导电薄膜的制备,研究分析不同WO3掺杂比例对IWO导电薄膜光学特性和电学特性的影响,随着掺杂比例的升高,薄膜缺陷明显增加,分子之间无法完全适配形成共价键,晶格的不完整性加大,薄膜结晶质量变差,同时导致IWO薄膜的方块电阻也随之升高,薄膜的电导率随之降低。在其他工工艺条件恒定条件下。当WO_(3)掺杂比例为1%时,薄膜方块电阻最小为45Ω,电导率为2669.13s/m,导电性能优良,薄膜透光率基本保持在85%以上。

摘要： 在Cu微桥箔基础上,利用电泳技术沉积B/Ti含能薄膜材料制备了点火元件。针对B/Ti含能薄膜材料,通过SEM和DSC开展了表面形貌和放热性研究。B/Ti含能薄膜材料颜色均匀,整体呈蓬松状,反应起始温度远低于B和Ti的熔点,且只有一个放热峰。对Cu/B/Ti点火元件进行了电学性能测试,输入电压400V的条件下,Cu/B/Ti电爆炸点火元件爆发时间为40ns,并伴有强烈的火光,火焰高度达数毫米。

摘要： 氮化镓(GaN)材料由于具有优良的电学特性而受到了广泛的关注,有望在航天工程中获得重要应用。本文首先对GaN材料的特性进行了简要阐述,进而对基于GaN的高电子迁移率晶体管(AlGaN/GaN HEMTs)、空间太阳能电池、紫外探测器等的研究和应用现状进行了梳理及分析,最后从新型GaN器件的开发、空间环境适应性评价、GaN器件的加固等角度给出了航天器用GaN材料及器件的发展方向和建议。

摘要： 建立了压电执行器多场耦合加载试验系统,对压电执行器在多场下的电学特性进行了测试。结果表明,随温度升高至120°C,压电执行器的电容呈现类似抛物线的增加趋势,等效电阻减小了约37%,损耗角正切值增加约149%,充放电电流峰值增加,输出位移增加27.9%;负载增加使得执行器电容增加了34.5%,损耗角正切值先增加随后略微降低,静态迟滞回线包络面积减小,执行器迟滞性降低,机械损耗减少,为开展压电喷油器高精度控制研究奠定基础。

摘要： 氧化铟锡(ITO)是一种n型简并半导体材料ITO薄膜作为一种透明导电薄膜被广泛应用于LCD领域,同时也可以作为一种高温薄膜热电偶电极材料.本文采用射频溅射的方法在取向为(100)的单晶硅基片上制备了透明导电氧化铟锡(ITO,In2O3与SnO2质量比为90∶10)薄膜.将制备出的ITO薄膜分别置于N2、O2和大气的气氛环境下进行退火处理,退火温度为600-1000°C,保温时间为1h.分别采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针的测试仪对退火处理后的薄膜进行了微结构及电学特性的测试表征.分析结果表明,不同退火条件对ITO薄膜的微结构及电学特性有着显著的影响.

摘要： TFT器件特性和可靠性对于金属氧化物LCD产品至关重要.本文通过研究ESL结构TFT钝化层的沉积温度对于器件特性和高温高湿可靠性的影响,旨在获得晶体管器件电学特性和高温高湿可靠性均良好的产品.研究表明,高温沉积的钝化层有利于改善产品高温高湿的可靠性,高温沉积钝化层会使TFT转移特性曲线正偏,但是过高的钝化层沉积温度会使TFT转移特性曲线再次负偏,同时TFT转移特性曲线均一性会变差,因此,需要良好的把握钝化层的成膜温度才能获得电学特性和可靠性均良好的产品.本文钝化层采用260°C成膜,最终得到了高温高湿可靠性良好的产品.

摘要： 近年来,Ⅲ族氮化物半导体以其独特的材料特性和优异的器件性能而倍受关注.其中,基于氮化物的共振隧穿二极管(RTD）有望实现室温下太赫兹波的连续波可调大功率发射,成为氮化物研究一大热点.本文主要研究了GaN/AlGaN共振隧穿二极管的电学特性.分别在蓝宝石衬底和同质衬底上外延生长了AlGaN/GaN双势垒结构,通过标准半导体工艺制备了不同台面的RTD器件.

摘要： InGaAsBi是一种新型的Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料,它的一些特殊性质可用于HEMT等电子和光电子器件.重点研究了InGaAsBi材料的GSMBE生长及其特性,特别是衬底生长温度、CBr4压力和Bi炉温度对InGaAsBi材料和碳掺杂InGaAsBi材料表面、结构和化学特性、以及电学特性和光学特性的影响.

摘要： 本课题组前期研究创新性提出纳米复合膜材料的仿生电位设计，构建出具有仿生电生理效应的BaTiO3/P(VDF-TrFE)纳米复合膜，体外细胞实验和体内骨植入实验证实了该材料体系对干细胞成骨分化及骨修复的有效性。为进一步优化材料性能，本研究通过改变陶瓷填料BaTiO3的维度及纤维填料的长径比，设计制备具有不同压电特性的纳米复合膜材料体系，评价填料维度对复合膜的表面特性、力学性能、电学特性及其生物学性能的影响。

摘要： 非晶铟镓锌氧(Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide,α-IGZO)薄膜具有迁移率高、均匀性好等特点,并且在可见光波长范围有较高的光透射率,可以实现制备全透明以及柔性显示器件,是新一代氧化物半导体薄膜晶体管中应用最广泛,也是最具潜力的有源层材料.本论文采用直流磁控溅射方法制备了叠层非晶IGZO薄膜(氮掺杂IGZO/非晶IGZO/氮掺杂IGZO),将其作为沟道层制备了IGZO薄膜晶体管(TFT),并对器件电学特性和稳定性进行了研究,取得了如下研究成果:1)N掺杂的顶部IGZO薄膜可以有效的阻挡水分子的吸附,并且N掺杂底部IGZO薄膜可以明显降低介质层与沟道层界面陷阱密度;2)直流磁控溅射方法原位掺杂N元素制备叠层IGZO薄膜有着良好的电学性能,通过对N掺杂薄膜厚度的合理搭配,得到的叠层沟道结构TFT具有很好的电学特性,即沟道载流子迁移率达到27.9cm2/Vs,亚阈值摆幅为0.21V/decade,是非掺杂IGZO薄膜TFT器件的1/3,电流开关比达到3.1xl07;3)研究了不同沟道结构IGZO TFT器件在正向栅压应力(PGS,Positive Gate bias Stress)下阈值电压偏移的物理过程.对于界面陷阱或绝缘层内陷阱较多的α-IGZO TFT器件,在PGS下阈值电压正向偏移主要是由于栅绝缘层内陷阱或界面陷阱对沟道电子的捕获,被捕获的电子积累在栅绝缘层内屏蔽了部分栅压,为了使得TFT器件到达正常的开启电流,需要更大的栅压来产生更多的沟道电子.在这种俘获机制中,测试的器件转移特性曲线随着应力时间的增大向正方向平移.随着应力时间的累积,其捕获电子的总数不断增加,阈值电压正向偏移的幅度也越来越大.

摘要： 本文使用金属有机化合物气相外延(MOVCD)系统,第一次成功地采用In作表面活化剂,在(10-10)m面蓝宝石衬底上生长出了半极性(11-22)面的Al0.42Ga0.58N薄膜.同时采用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)、原子力显微镜(AFM)以及霍尔效应测试仪分别表征材料的晶体取向、表面形貌以及电学特性.XRD扫描结果表明,采用In作表面活化剂,半极性(11-22)面AlGaN外延层的晶体质量得到显著提高.AFM的结果表明,半极性(11-22)面AlGaN外延层样品的表面粗糙度将随着TMIn摩尔流量的提高而减小.另外,在In作表面活化剂生长的过程中,由于氮空位(VN)密度显著下降,半极性(11-22)面AlGaN外延层的背景电子浓度从2.66×1017cm-3降到了2.97×1016cm-3.

摘要： 文章研究了ALD-Al2O3钝化的单晶硅基纳微米复合结构光电特性，阐述了硅基纳微米复合结构背钝化高效太阳电池，并就纳米倒金字塔PERC太阳电池进行展望。

摘要： 文章研究了ALD-Al2O3钝化的单晶硅基纳微米复合结构光电特性，阐述了硅基纳微米复合结构背钝化高效太阳电池，并就纳米倒金字塔PERC太阳电池进行展望。

摘要： 文章研究了ALD-Al2O3钝化的单晶硅基纳微米复合结构光电特性，阐述了硅基纳微米复合结构背钝化高效太阳电池，并就纳米倒金字塔PERC太阳电池进行展望。

摘要： 本发明涉及一种薄膜电学特性与击穿特性实时测试分析系统，包括电学测试装置、显微图像实时采集装置和综合分析处理装置，其中：所述电学测试装置包括样品装夹座、测试探针、数字源表和测试控制模块，所述测试探针设置在样品装夹座上，所述测试探针、数字源表和测试控制模块依次连接；所述显微图像实时采集装置包括相连接的数据码光学显微模块和图像采集模块，所述数据码光学显微模块设置在样品装夹座上；所述综合分析处理装置分别连接测试控制模块、图像采集模块。与现有技术相比，本发明具有易于操作，耗费时间少，直观性好等优点，能够有效分析和评价薄膜材料击穿机理和导致击穿现象发生的原因。

摘要： 本发明涉及一种薄膜电学特性与击穿特性实时测试分析系统，包括电学测试装置、显微图像实时采集装置和综合分析处理装置，其中：所述电学测试装置包括样品装夹座、测试探针、数字源表和测试控制模块，所述测试探针设置在样品装夹座上，所述测试探针、数字源表和测试控制模块依次连接；所述显微图像实时采集装置包括相连接的数据码光学显微模块和图像采集模块，所述数据码光学显微模块设置在样品装夹座上；所述综合分析处理装置分别连接测试控制模块、图像采集模块。与现有技术相比，本发明具有易于操作，耗费时间少，直观性好等优点，能够有效分析和评价薄膜材料击穿机理和导致击穿现象发生的原因。

摘要： 本发明公开了一种基于细胞电学特性和电磁微阀的微流控芯片结构及方法，属于生物医学微流控细胞分选技术领域；解决了现有的微流控分选细胞存在流体剪切力、抗体和荧光物质会影响细胞的活性和功能，离心需要大量样品且很难在没有人工干预的情况下与下游工艺集成的技术问题；其技术方案为：微流控芯片结构包括溶液样品进口、溶液进口流道、溶液进口窄通道、检测电极、电磁微阀、微流通道一、微流通道二、废液出口和目标细胞收集出口；控制方法内容为：通过调节通道长度，细胞液流速，电磁铁通电时间，实现对目标大小细胞的高效分选。本发明的有益效果是：利用细胞的大小和电学特性，对目标细胞进行高效无损的无标记分选。

摘要： 本发明公开了一种提高蓝、绿光半导体激光器电学特性的方法及器件。本发明在蓝、绿光半导体激光器的上限制层的上、下表面各设置一层Al组分渐变的p‑AlGaN极化诱导层，通过双层极化诱导p型掺杂的的方式增加空穴注入，减少电子泄漏，提高有源区载流子复合效率，改善蓝、绿光激光器电学特性。本发明采用的处理方法具有工艺稳定、成本低廉、成品率高、设备简单易操作、适合产业化生产等优点。

摘要： 本发明涉及微电子技术领域与人工智能技术领域，具体涉及一种基于CNN网络的FDSOI器件电学特性预测方法，本发明利用CNN网络，解决了FDSOI器件电学特性的预测在传统研究过程中计算量大且耗时较长的问题，且拥有较高的准确率，提高了预测的效率。

摘要： 本发明公开了基于机器学习和模型的半导体器件电学特性仿真方法，包括步骤1、确定仿真模型；步骤2、确定结构参数或工艺参数；步骤3、获取数据集；步骤4、建立机器学习回归模型；步骤5、预测输入模型参数；步骤6、电学特性仿真。本发明利用机器学习和确定的仿真模型，实现了半导体器件从结构参数与工艺参数到电学特性的仿真，具有仿真速度快，收敛性好，节约计算资源等优点。同时该发明中构建的回归模型能实现从工艺参数到模型参数、工艺参数到结构参数、结构参数到模型参数的预测，能提高设计人员的设计效率，节省设计时间。

摘要： 本发明公开了一种脑缺血模型电学特性的检测方法，采用双频交流信号作为检测信号检测获自脑缺血模型的外周血中性粒细胞的电学特性的动态变化。本发明首次将单细胞电学的方法应用于疾病模型体内中性粒细胞特性的检测。不同于以往的免疫细胞电学检测方法，本方法的特点在于免标记、高通量、可以实时计算得到细胞的电生理特性结果，具有高效率的优势。该系统将来可用于临床缺血性卒中后的中性粒细胞的电学特性，具有广阔的应用前景，可以推动缺血性卒中中性粒细胞分子机制的研究，以及临床上可以应用于缺血性卒中的预后和治疗药物的选择。

摘要： 本发明公开了一种肖特基二极管的电学特性曲线拟合优化方法，使用相关系数法与TIC法相结合的方式进行拟合，相关系数法是对两条曲线的趋势一致性进行拟合，TIC法是对两条曲线进行精度进行拟合。与传统的MSE方法相比，此方法可以快速便捷解决特性曲线MSE不在一个数量级导致难以优化的问题，有效节约了仿真时间，提高了器件电学模型优化效率。

摘要： 本实用新型公开了一种用于检测光学特性和电学特性的装置。该装置包括第一透镜，其将面激发光引导至待检测样品的待检测区域；电学特性检测单元，其被配置为检测待检测区域在被面激发光照射之后的电学特性；第二透镜，其将待检测区域在被面激发光照射之后激发出的光信号引导至光学特性成像单元；光学特性成像单元，其包括入射狭缝并且其被配置为通过入射狭缝来收集光信号中的部分光信号；检测部分光信号的光学特性；以及根据检测到的部分光信号的光学特性来生成针对待检测区域的光学特性图像。

摘要： 本实用新型涉及一种薄膜电学特性与击穿特性实时测试系统，包括电学测试装置、显微图像实时采集装置和计算机，所述计算机分别连接电学测试装置和显微图像实时采集装置；所述电学测试装置包括样品装夹座、测试探针和数字源表，所述测试探针设置在样品装夹座上，所述数字源表一端通过电学测试线与测试探针连接，另一端通过数据传输线与计算机连接；所述显微图像实时采集装置包括数据码光学显微模块，该数据码光学显微模块设置在样品装夹座上，并通过数据传输线与计算机连接。与现有技术相比，本实用新型具有易于操作，耗费时间少，直观性好等优点，能够有效分析和评价薄膜材料击穿机理和导致击穿现象发生的原因。